徐晓春
- 作品数：5 被引量：10H指数：1
- 供职机构：信息产业部更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InP/InGaAsHBT湿法化学选择腐蚀技术
- 用H<,3>PO<,4>:H<,2>O<,2>系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极...
- 曾庆明徐晓春
- 关键词：半导体器件
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- AlGaN/GaN HEMT器件研究被引量：10
- 2000年
- 叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。
- 曾庆明刘伟吉李献杰赵永林敖金平徐晓春吕长志
- 关键词：GANHEMTALGAN截止频率
- GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
- 2000年
- 叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。
- 曾庆明徐晓春刘伟吉李献杰敖金平王全树郭建魁赵永林揭俊锋
- 关键词：GAASHBT微波单片集成电路
- 用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT直流特性研究
- 本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器件及其MMIC.
- 李献杰敖金平曾庆明刘伟吉赵永林徐晓春梁春广
- 关键词：分子束外延生长INALAS/INGAAS场效应器件直流特性
- 文献传递
- 高速AlGaAs/GaAs HBT D-触发器和静态分频器
- 本文采用AlGaAs/GaAs HBT作有源器件,电流型逻辑,设计、制作了D-触发器和静态分频器,通过实验给出了其输入输出波形.
- 曾庆明徐晓春李献杰敖金平王全树郭建魁刘伟吉揭俊锋
- 关键词：触发器静态分频器ALGAAS/GAAS
- 文献传递
