彭启才
- 作品数:8 被引量:12H指数:3
- 供职机构:西华大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金:教育部“春晖计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信动力工程及工程热物理理学金属学及工艺更多>>
- a-Six C_(1-x)/a-Si:H多层膜电学、光学性质及TEM研究
- 彭启才
- 补偿掺杂i层对n-ZnO/i-ZnO/p-Si薄膜太阳能电池性能影响的模拟研究被引量:1
- 2011年
- 提出一种新型n-ZnO/i-ZnO/p-Si太阳能电池结构,使用AMPS软件对该结构太阳能电池进行了模拟研究,探索H,N杂质补偿掺杂形成本征i层对该结构太阳能电池的影响。研究发现在掺杂浓度为H=1.7×1017,N=2.8×1017时太阳能电池的转换效率可达15%,并对其转换机理进行了研究。
- 林家辉彭启才赵新为
- 关键词:太阳能电池ZNO
- 中频磁控反应溅射制备硅基氮化铝薄膜被引量:1
- 2008年
- 利用中频磁控反应溅射技术,以高纯Al为靶材、高纯N2为反应气体,在Si(111)衬底上成功制备出氮化铝薄膜。通过X衍射分析和原子力显微镜测试发现:提高N2分压和升高衬底温度有利于AlN(110)的形成;随着衬底温度的改变,AlN薄膜的表面粗糙度也在变化,当衬底温度为230℃时,RMS表面粗糙度最小。实验结果表明:升高衬底温度有利于制备(110)面择优取向的AlN薄膜,退火是影响氮化铝薄膜表面粗糙度的重要因素。
- 陈璞彭启才
- 关键词:氮化铝粗糙度
- n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构薄膜太阳能电池的模拟研究被引量:3
- 2012年
- 运用AMPS-1D软件对n-ZnO/i-ZnO/p-nc-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟,探讨了补偿掺杂i-ZnO层厚度变化以及界面态的引入对太阳能电池的开路电压、短路电流密度、填充因子以及转换效率的影响,并对其机理进行了分析。结果表明:界面态的存在会大幅降低太阳能电池的效率,在理想情况下太阳能电池的转换效率可以达到25.381%。
- 林家辉彭启才
- 关键词:太阳能电池ZNONC-SI厚度
- 界面态对ZnO/AlSb太阳能电池性能影响的模拟研究
- 2014年
- 运用AMPS软件对n-ZnO/i-AlSb/p-AlSb异质结太阳能电池的性能进行模拟,针对n/i异质结界面态对电池填充因子和转换效率的影响进行研究。结果表明,随着界面态密度增大,电池的填充因子和转换效率迅速下降,具体表现为界面态密度的增加促进光生载流子的复合从而电池并联电阻减小,最终导致电池的转换效率降低。
- 杨顺洪彭启才龚述娟赵新为
- 关键词:ALSB界面态太阳电池计算机模拟
- CdS/CdTe太阳电池中CdS多晶薄膜的结构和光学性能被引量:4
- 2004年
- 采用XRD,AFM,XPS和光学透射谱对化学水浴法制备的CdS多晶薄膜进行了测试分析。刚沉积的CdS多晶薄膜均匀、透明、致密,主要呈现立方结构;Cd和S的原子百分比约为1 10;能隙(Eg)约为2 47eV。在不同温度下后处理会出现六方结构和3CdSO4·8H2O衍射峰,同时晶面择优取向发生了变化。通过沉积高质量的CdS薄膜,获得了效率约13 4%的CdS/CdTe小面积太阳电池。
- 李卫冯良桓蔡亚平郑家贵蔡伟张静全黎兵武莉莉雷智彭启才
- 关键词:CDS薄膜CBD退火太阳电池
- a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质
- 1989年
- 采用等离子体辉光放电单室系统制备的 a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的 S-W 效应。随着子层厚度 L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙 E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
- 彭启才周心明蔡伯埙
- 关键词:超晶格非晶半导体
- 玻璃衬底制备AlN薄膜结构的研究被引量:3
- 2010年
- 利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝(AlN)薄膜,并经退火处理。利用X-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌。结果表明,衬底温度和退火工艺对AlN薄膜的结构和表面形貌有重要影响。研究表明,衬底温度为230℃时,AlN薄膜的表面粗糙度最小,退火能减小AlN薄膜表面粗糙度。
- 李瑞霞彭启才曾伦赵广彬
- 关键词:玻璃衬底衬底温度氮化铝薄膜退火