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张超

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 4篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 10篇存储器
  • 6篇导体
  • 6篇退火
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇刻蚀
  • 6篇半导体
  • 4篇电阻
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇碳化硅
  • 4篇二极管阵列
  • 4篇本征
  • 4篇本征半导体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇电极表面
  • 2篇读写

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇张超
  • 12篇宋志棠
  • 10篇吴关平
  • 10篇刘波
  • 8篇张挺
  • 8篇吴天如
  • 6篇杨左娅
  • 6篇谢志峰
  • 4篇万旭东
  • 4篇封松林
  • 4篇凌云
  • 4篇李宜瑾
  • 2篇于广辉
  • 2篇顾杰斌
  • 2篇陈邦明
  • 2篇龚岳峰
  • 2篇刘燕
  • 2篇王浩敏
  • 2篇陈吉
  • 2篇朱南飞

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
制备纳米晶电阻转换材料的方法
本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均...
张挺宋志棠刘波吴关平张超封松林陈邦明
一种二维化合物半导体薄膜的制备方法
本发明涉及一种二维化合物半导体薄膜的制备方法。该方法包括：绝缘衬底表面沉积金属氧化物薄膜，预退火；催化衬底表面制备单层二维层状材料连续薄膜；构建限域空间制备表面载有垂直异质结构的绝缘衬底，置于加热装置中，通入载气及反应所...
高渤翔吴天如朱虹延张超时志远
文献传递
图形化石墨烯的制备方法
本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明...
朱虹延吴天如顾杰斌张超高渤翔
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
文献传递
可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器及制备方法
本发明微电子技术领域，公开了可抑制选通二极管之间串扰电流的相变存储器的制备方法，其主要特征在于，在P型半导体衬底上形成重掺杂的N型半导体，在重掺杂的N型半导体上方形成一个本征半导体；对本征半导体有间隔的进行刻蚀形成多个位...
李宜瑾宋志棠凌云张超
文献传递
图形化石墨烯的制备方法
本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明...
朱虹延吴天如顾杰斌张超高渤翔
相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法
一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第...
李宜瑾宋志棠凌云刘燕刘波龚岳峰张超吴关平杨左娅
文献传递
多层六方氮化硼薄膜的制备方法
本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环...
时志远吴天如卢光远王秀君张超王浩敏谢晓明
有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
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