张汉谋
- 作品数：8 被引量：12H指数：2
- 供职机构：西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究被引量：3
- 2007年
- 采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土铈(Ce)元素。利用原子力显微镜表征了多孔硅和Ce掺杂多孔硅的表面形貌,采用荧光分光计对样品的光致发光(PL)特性进行了研究。多孔硅样品在480nm波长激发下PL谱上观察到两个发光峰,分别位于572和650nm;通过光致发光激发谱测量,得到位于572、650nm的发光峰对应的最佳激发波长分剐为380和477nm。Ce掺杂多孔硅样品在480nm波长激发下, PL谱上只显示出多孔硅原有的发光增强;而在380nm波长激发下的PL谱上不仅显示多孔硅原有的发光增强,而且还出现了新的发光峰位于517nm。认为这分别是Ce^(3+)与nc-Si发生了能量传递和Ce掺杂引入了新的发光中心所造成的。
- 张汉谋马书懿张国恒
- 关键词：稀土光致发光
- 镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：3
- 2007年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂。用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半。红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释。
- 孙小菁马书懿张汉谋徐小丽魏晋军
- 关键词：多孔硅电化学光致发光红外吸收
- 电子设备退化分析的新方法被引量：1
- 2006年
- 偏压浸透模型是基于对实际薄膜设备退化的分析而提出的,研究的是类似于薄膜退化过程的导体向绝缘体或半导体的转化过程,并对标准浸透模型和偏压浸透模型做一对比,进一步说明偏压浸透模型更适合于分析实际薄膜的退化．
- 马书懿陈海霞张汉谋
- Au/(C/SiO_2)/p-Si结构中的电流输运机理研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频磁控溅射方法制备了镶嵌纳米碳粒的SiO2薄膜,利用Au/(C/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线,对其电流输运机理进行了分析.结果表明,正向偏压较小时,薄膜中的电流符合欧姆电流输运机制;正向偏压较大时,薄膜中的电流主要是Schottky发射和Frenkel-Poole发射2种电流输运机制的共同作用结果.这一结论与样品的EL(electroluminescence)是由SiO2中的发光中心引起的结论相一致.
- 张汉谋马书懿
- 关键词：射频磁控溅射I-V特性
- 铈掺杂多孔硅的形貌和光致发光研究
- 1990年，英国科学家Canh锄首次观察到室温下多孔硅强的可见光致发光，并用量子限制效应进行了解释，使多孔硅迅速成为世界范围内的研究热点。硅是微电子学中应用最为广泛的材料，但由于硅是间接带隙半导体，禁带宽度窄，发光效率低...
- 张汉谋
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀光学特性光致发光
- 文献传递
- 不同激发波长下多孔硅的光致发光研究被引量：2
- 2007年
- 采用阳极氧化法腐蚀n型Si(111)片,制备了多孔硅样品.利用荧光分光光度计对样品光致发光和光致发光激发特性进行了研究,发现多孔硅样品的光致发光谱上有2个发光峰,其中心分别位于640 nm和565 nm.基于前人的报道和本实验结果的分析,认为多孔硅的光致发光来源于纳米硅颗粒中光生载流子弛豫到其表面态上然后发生辐射复合.进一步通过实验证明,640 nm处的发光峰与纳米硅颗粒表面的Si-O复合物有关,而565 nm处的发光峰与其它发光中心有关.
- 张汉谋马书懿张国恒
- 关键词：阳极氧化多孔硅光致发光
- C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析被引量：1
- 2008年
- 采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大。利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇。
- 张国恒马书懿陈彦张汉谋徐小丽魏晋军孙小菁
- 关键词：磁控溅射电致发光
