张树高
- 作品数：18 被引量：103H指数：5
- 供职机构：中南工业大学粉末冶金研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术冶金工程更多>>
- 氧化锌压敏电阻的应用
- 综述了ZnO压敏电阻的应用;然后介绍了ZnO压敏电阻的新应用——用于发电机灭磁;最后指出应用中存在的高加压比问题以及解决该问题的可能办法。
- 张树高王零森陈熙
- 文献传递
- 纤维增强玻璃陶瓷基复合材料的研究被引量：1
- 1997年
- 介绍了纤维增强玻璃陶瓷基复合材料(FRGCC)的发展历史及现状,概述了FRGCC研究的主要内容,重点讨论了制备高性能FRGCC所要考虑的因素。
- 张波张立同张树高
- 关键词：复合材料玻璃陶瓷纤维增强
- ITO导电薄膜的用途和制备方法被引量：5
- 1997年
- 本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。
- 张树高黄伯云方勋华
- 关键词：ITO薄膜
- ITO薄膜的半导化机理、用途和制备方法被引量：44
- 1997年
- 综述了ITO薄膜的半导化机理、应用和制备工艺。ITO薄膜的半导化机制是高价Sn^(4+)替代部分In^(3+)和氧缺位。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示。综述了磁控溅射、CVD、喷雾热分解和溶胶-凝胶四种制膜工艺。
- 张树高黄伯云方勋华
- 关键词：ITO薄膜半导体铟锡氧化物半导体
- 铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化研究被引量：24
- 2000年
- 用化学共沉淀法制备了铟锡氧化物（ＩＴＯ）复合粉末。粉末经冷等静压成型后进行热等静压致密化。热等静压时采用碳钢作包套，采用铜箔作隔层。实验研究了热等静压工艺参数──保温温度、保压压力和保温时间对 ＩＴＯ陶瓷靶材致密化的影响。实验结果表明：靶材的相对密度在大约 １０００℃处有一峰值；相对密度随压力增加而增加；当保温温度较低时，适当延长保温时间有利于提高密度；当保温温度较高时，延长保温时间反而使密度降低。分析了 ＩＴＯ在高温下的分解行为以及这种行为对致密化的作用。还分析了 ＩＴＯ复合粉末部分脱氧使ＩＴＯ陶瓷半导化的机理。
- 张树高扈百直吴义成方勋华黄伯云
- 关键词：铟锡氧化物陶瓷靶材热等静压致密化
- ZnO压敏电阻应用新进展被引量：2
- 1992年
- 概述了ZnO压敏电阻的一般应用;介绍了ZnO压敏电阻应用于感性负载的原理,并举出实际应用例子;提出应用中存在的高荷电率问题及对策。
- 张树高
- 关键词：压敏电阻ZNO半导体陶瓷
- 铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用被引量：4
- 1999年
- 用化学共沉淀法制备的铟锡氧化物复合粉末经冷等静压成形后进行热等静压致密化所得靶材常常会产生裂纹．用电子探针分析了铟锡氧化物热等静压后裂纹处铟、锡和氧的成分分布．结果表明，裂纹处铟含量极低，锡含量极高，而氧含量低于配比含量，这与Ｉｎ２Ｏ３ 和ＳｎＯ２ 在高温下不同的分解行为有关；粉末经高温煅烧预处理后，进行热等静压致密化所获得的靶材的相对密度可达到９８ ％ 以上，且裂纹大大减少．
- 扈百直张树高付晓旭吴义成
- 关键词：氧化铟氧化锡热等静压
- 喷雾热蒸发炭膜用于二次锂离子电池负极的研究
- 1999年
- 以有机热解炭(石墨)为原料,用喷雾热蒸发法制备了用于二次锂离子电池负极的炭膜,用循环伏安法和恒电流充放电法测试了所获炭膜的电化学性能,测试结果表明,在第1循环周期中存在1个还原峰对应在电极表面形成固体电解质中间相膜;当充放电电流大小合适时,容量和每mol炭中嵌入其他物质的摩尔数(x)值都较大,基于这些实验结果,认为所获得的炭膜能用作电池负极以相对测试其他正极材料的电化学性能。
- 张树高黄启忠
- 关键词：二次锂离子电池炭膜电化学性能
- 长石质电瓷的显微结构被引量：1
- 1996年
- 用XRD、SEM和金相显微镜分析和研究了长石质电瓷的显微结构:相组成、相含量、晶粒形状和尺寸、气孔形状和尺寸以及裂纹。研究表明,晶相以莫来石、刚玉和残留石英为主,气孔以圆形或椭圆形为主,有一部分大气孔为不规则多边形。浅析了显微结构的形成过程。与电子陶瓷的显微结构作了对比。
- 张树高方勋华奉冬文
- 关键词：电瓷材料显微结构电子陶瓷
- 能量脉冲下高能ZnO压敏电阻的老化现象
- 1997年
- 研究了用于水轮发电机灭磁与过电压保护的高能ZnO压敏电阻在贮能电感释放的能量脉冲作用下的老化现象。研究表明,能量脉冲后,压敏电阻的特征电压、非线性系数和预击穿区V-I特性都发生跌落,而且这种跌落随脉冲次数增加而增加;能量脉冲使压敏电阻发生非对称老化。能量脉冲可以分解直流电压和能量两个分量。高能ZnO压敏电阻在能量脉冲下老化的原因是发生在晶粒耗尽层中和富铋晶界层中的离子迁移使双Schottky势垒降低。
- 张树高黄伯云方勋华
- 关键词：V-I特性
