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张德胜

作品数：15 被引量：14H指数：2
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇可靠性
  • 2篇双极
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型集成电...
  • 2篇晶体管
  • 2篇监测技术
  • 1篇电子产品
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化膜
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇氧化膜
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子注入
  • 1篇针孔
  • 1篇少子寿命
  • 1篇砷化镓
  • 1篇热载流子

机构

  • 14篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇张德胜
  • 9篇顾瑛
  • 6篇赵策洲
  • 4篇史保华
  • 3篇韩孝勇
  • 1篇胡刚毅
  • 1篇郭林
  • 1篇董建荣
  • 1篇黄庆安
  • 1篇孙怀安
  • 1篇张正元
  • 1篇张绵

传媒

  • 4篇微电子学
  • 3篇电子产品可靠...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子技术
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国集成电路...

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 6篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1990
  • 1篇1989
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
CMOS工艺氧化膜完整性的评估
1999年
提出了用阵列电容来监测氧化层的完整性。分析表明，从多个子列的氧化层电容漏电合格率的曲线可以求出氧化层完整性的表征因子 Ｅ 值（每个缺陷包含的单元数）。
张德胜顾瑛韩孝勇
关键词：CMOS工艺氧化膜可靠性评估IC
离子注入层少子寿命空间分布的测量
1990年
本文分析了非均匀掺杂衬底MOS电容对线性扫描电压的瞬态响应,提出了饱和电容法测量非均匀掺杂MOS电容少子产生寿命空间分布的方法.该方法的优点是测量与计算简单.
黄庆安史保华顾英张德胜
关键词：少子寿命
“金属薄膜层附着性”试验方法被引量：6
2000年
金属薄膜层附着性的“扯带”试验中胶带纸本身的粘结强度起着重要的作用 ,胶带纸的粘结强度过低或过高都不能正确评价金属薄膜层的附着性。因此需要对胶带纸的粘结强度提出一个要求。为此给出试验过程中能同时测定胶带纸粘结强度的试验方法。
张德胜顾瑛韩孝勇孙怀安华桂芳
关键词：附着强度
微电路机械结构可靠性试验述评
1996年
本文阐述了微电路机械结构可靠性试验在研究和评价机械结构可靠性领域中的作用;微电路在实际应用中遇到的机械应力的类型以及MIL标准和我国相应标准中机械应力试验项目的变化情况.以较大的篇幅分析了主要机械结构试验所针对的失效机理以及各试验之间的差别和相关性.举例定量计算了恒定加速度试验与芯片和基座附着强度试验对芯片所施机械应力强度的悬殊差别,最后列举了我国在这领域中急待研究解决的问题.
顾瑛张德胜韩孝勇
关键词：机械结构可靠性
外延双极晶体管基区表面电流的模型及应用
1994年
少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ＿２界面的复合对双极器件的影响很大。文中通过对采用ＳｉＯ＿２膜和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４双层膜一次钝化的电容（ＭＯＳ和ＭＮＯＳ）和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ＿２－Ｓｉ＿３Ｎ＿４一次钝化膜能减小基区表面电流。文中建立了外延双极晶体管基区表面电流随栅区（或基区表面电势）变化的理论模型，该模型成功地解释了栅控外延双极晶体管的基区表面电流随栅压变化的实验曲线，从而为器件的计算机模拟提供了更加精确的模型．
赵策洲张德胜史保华
关键词：双极晶体管
集成双极晶体管基区表面电势的二维模型及其应用
1993年
基区表面电特性对双极器件影响很大,本文建立了集成双极npn晶体管基区表面电势的二维模型。文中还通过对采用SiO_2膜和Si_3N_4-SiO_2双层膜一次钝化的电容(MOS和MNOS)和栅控npn晶体管的表面电特性的研究,发现SiO_2-Si_3N_4一次钝化膜能有效地减小基区表面电势。
赵策洲张德胜史保华
关键词：双极晶体管钝化膜
热载流子注入对MOS结构C─V和I─V特性的影响被引量：4
1994年
讨论了热载流子注入对ＭＯＳ结构Ｃ─Ｖ和Ｉ─Ｖ特性的影响。指出热载流子效应引起载流子陷落和界面态的产生，导致Ｃ─Ｖ特性曲线畸变、平带电压漂移和恒定电压下ＳｉＯ２漏电流随时间漂移。本文论述了这些漂移的机理，提出了漂移的ｔｎ物理模型，从而很好地解释了实验所观察到的现象。
赵策洲董建荣张德胜史保华
关键词：载流子注入集成电路MOS
GaAs表面处理与可靠性被引量：1
1997年
本文采用不同表面处理方法制备样品，利用C-V和边栅效应测试图形研究其对肖特基势垒的正向n值、反向击穿电压和边栅效应的影响。将不同表面处理方法制备的器件进行可靠性试验。由此给出GaAs表面处理的优化方法。
顾瑛张德胜张绵
关键词：表面处理砷化镓
双极型集成电路表面质量的监测技术和系统
张德胜顾瑛
关键词：集成电路
VLSI最危险的失效机理
1994年
本文介绍ＶＬＳＩ最危险的失效机理：薄氧化层击穿，热载流子效应，电迁移和金属－半导体相互作用。着重介绍它们的机理和改善措施。
赵策洲张德胜
关键词：VLSI集成电路
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