张宗涛 作品数:13 被引量:65 H指数:6 供职机构: 清华大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 化学工程 一般工业技术 更多>>
高纯莫来石晶须的制备方法 本发明涉及一种用于增韧高温结构陶瓷、金属和塑料的高纯莫来石晶须的制备方法,属于材料研究领域,尤其是以陶瓷为主的新型复合材料领域。莫来石晶须的制备过程是将铝盐溶解在醇溶液中,按SiO<Sub>2</Sub>∶Al<Sub>... 张宗涛 黄勇 郑隆烈 江作昭文献传递 晶须补强陶瓷基复合材料界面研究进展 被引量:16 1996年 结合国内外的工作,介绍了晶须补强陶瓷基复合材料界面研究的最新进展,包括:晶须表面化学;界面物理和化学相容性;界面应力和涂层对复合材料力学性能的影响;晶须涂层工艺;界面研究发展动向。 黄勇 张宗涛 江作昭关键词:陶瓷复合材料 力学性能 SiC_w/涂层/TZP陶瓷复合材料界面化学键的XPS和IR研究 被引量:12 1994年 本文用XPS和IR测定了SiC_w/(Al_2O_3,莫来石)涂层/TZP陶瓷复合材料的界面化学键。结果表明SiC_w/Al_2O_3、莫来石、TZP界面为化学结合而Al_2O_3、莫来石/TZP界面为物理结合。 张宗涛 黄勇 江作昭关键词:碳化硅晶须 陶瓷 涂层 SiC_w/TZP陶瓷复合材料电泳沉积电极反应动力学研究 被引量:9 1995年 研究了电极过程对SIC_w/TZP复合材料电泳沉积成型动力学的影响。实验结果表明:电泳沉积是由带电颗粒的电泳迁移和颗粒在电极上放电沉积两个串联过程所组成,其中较慢的步骤成为控制电泳沉积成型速率的关键步骤。电泳迁移遵循电泳规律,而沉积过程遵循电化学规律。随着pH值从低到高,电泳沉积成型由电泳控制向沉积控制转变,转变点处成型速率最大。实验还发现电泳沉积成型也存在过电位,过电位的大小取决于固体颗粒的化学组成和电极种类,TZP粉末和SiC_w在聚丙烯酸铵为悬浮剂的水溶液中在Al电极上的过电位分别为3V和5V。SiC_w和TZP共沉积时沉积坯体的组成取决于电极种类和料浆中两者的配比浓度,其规律遵守Nernst方程,即过电位效应和浓度(活度)效应。 黄勇 张宗涛 张立明 江作昭关键词:电泳沉积 电极反应 碳化硅 SiC晶须表面涂覆Al_2O_3的溶胶-凝胶工艺及机理 被引量:14 1991年 用异丙醇铝为先驱体通过溶胶-凝胶工艺成功地在SiC晶须表面涂覆了5—30nm的Al_2O_2涂层。认为SiC表面与Al(OC_2H_7)_2(OH)形成配位键并构成胶团是形成涂层的重要机制。研究了溶胶浓度、晶须预处理,晶须直径和反复涂层对涂层效果的影响。 张宗涛 黄勇 胡晓清 江作昭关键词:SIC晶须 溶胶-凝胶 涂层 晶须/TZP陶瓷复合材料界面设计、控制与高温补强 张宗涛关键词:陶瓷材料 晶须 TZP 复合材料 晶须表面涂层对SiC_w/TZP陶瓷复合材料力学性能和界面结构的影响 被引量:14 1994年 研究了在SiC晶须表面涂覆10~100nm厚的氧化铝或莫来石对15%(vo1)SiC_w/2.5Y-TZP陶瓷复合材料力学性能的影响。结果表明:涂层可显著改善复会材料的力学性能,其中涂覆莫来石效果最佳,室温σ_f=1450MPa,K_(1c)=17MPa·m ̄(1/2),1000℃下σ_f=520MPa,比无涂层的复合材料力学性能分别提高了80%,100%和45%,SEM,TEM和HREM观察表明:SiC_w表面涂覆Al_2O_3和莫来石时在SiC_w与TZP界面附近形成少量玻璃相,涂层使SiC_w/TZP界面的化学结合转变为涂层/TZP界面的物理结合,而且涂层降低了界面残余热应力,改善了复合材料的力学性能。 张宗涛 黄勇 江作昭关键词:碳化硅晶须 氧化锆 陶瓷 SiC 晶须表面成分和涂层对抗氧化性的影响 被引量:6 1992年 用 XPS、BET 和 EPR 方法对五种 SiC 晶须的表面成分、比表面、Si 悬挂键进行了测定。用TG-DTA 方法研究了表面涂层和未涂层的 SiC 晶须的抗氧化性能。结果表明:SiC 晶须的抗氧化性主要取决于起始表面氧含量;在表面涂覆 Al_2O_3,SiO_2和 Mullite 后,SiC 晶须无论是表面抗氧化性和体积抗氧化性均得到显著改善。表面抗氧化性的改善是由于涂层使 SiC 表面 Si 悬挂键减少,而体积抗氧化性改善是由于涂层增加了氧扩散阻力。 张宗涛 黄勇 乐恢榕 江作昭 雍景荫 叶小燕关键词:涂层 抗氧化性 碳化硅 晶须 SiC(w)/TZP+mullite陶瓷复合材料界面和组成设计与力学性能 被引量:4 1993年 本文从理论上分析了 SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料界面残余热应力及其在基质内的分布规律.提出在SiC(w)表面涂复 Al_2O_3和在 PZT 中加入 mullite(p)联合作用来降低晶须/基质界面残余热应力的界面设计方案,导出 SiC(w)和 mullite(p)协同补强 PZT 的匹配条件.制备了 SiC(w)/TZP+mullite(p)复合材料并研究了 SiC(w)表面涂层 Al_2O_3厚度和 SiC(w)加入量对复合材料室温和高温力学性能的影响.SEM 断口观察表明 SiC(w)表面涂层 Al_2O_3和在 PZT 中加入 mullite(p)提高了晶须拨出效应.经 SiC(w)和 mullite(p)体积分数及直径的匹配优化,复合材料1000℃抗弯强度达470MPa,实现了协同高温补强. 黄勇 张宗涛 郑隆烈 江作昭关键词:晶须 氧化锆 陶瓷 Mullite(W)/TZP陶瓷复合材料的显微结构与力学性能 1993年 研究了 mullite(w) 含量对 mullite(w)/TZP 复合材料显微结构和力学性能的影响。结果表明,当mullite(w)含量大于15 v.-%,热压温度超过1600℃时复合材料将开裂;原因是 Y_2O_3从 TZP 中脱溶进入玻璃相。mullite(W)含量在5-20 V.-%时,室温力学性能与基质 TZP 大致相同:σ_f=1200MPa,K_(IC)=12MPa2^(1/m);而1000℃时复合材料抗弯强度为360-430MPa,是基质 TZP 的1.8-2.1倍。 张宗涛 黄勇 江作昭关键词:陶瓷复合材料 氧化锆