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张宇生

作品数：6 被引量：19H指数：2
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体激光
  • 6篇半导体激光器
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇面发射半导体...
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 3篇垂直腔面发射...
  • 2篇VCSELS
  • 1篇电特性
  • 1篇微腔
  • 1篇和光
  • 1篇横模
  • 1篇半导体器件
  • 1篇波导
  • 1篇波导特性

机构

  • 6篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇张宇生
  • 5篇赵一广
  • 3篇焦鹏飞
  • 2篇陈娓兮

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇量子电子学

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 2篇1997
  • 2篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性被引量：18
1999年
本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法，研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性．计算结果表明，出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素．在不同的深度，电流和电压的分布是不同的．因而电流的分布不是一个固定的模式．对于较大出射窗口的垂直腔面发射半导体激光器，有源区的电流密度分布不均匀是引起高阶横模的主要原因．
赵一广张宇生黄显玲
关键词：半导体激光器电特性热特性VCSELS
平面微腔半导体激光器的自发发射因子
＜正＞微腔半导体激光器是近年来量子光学和光电子学领域非常活跃的研究领域。理论预言, 由于腔量子电动力学性质的影响,自发发射增强;因而,可能实现无阈值工作;其高频特性也大为改善。因此,研究微腔半导体激光器的自发发射因子是非...
赵一广张宇生黄显玲焦鹏飞
梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制被引量：2
1998年
本文采用求解光场方程，载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制．计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响．结果表明，在这种结构的半导体激光器中，一阶模的辐射损耗总比基模大，因而可以很好地抑制高阶横模．增大限制区的倾角，虽然有利于实现单基模工作，但是因为基模的辐射损耗也随之增大，从而激光器的阈值电流也相应增大．对于一定的有源区半径，我们找到了不同限制区倾角时单基横模工作的注入电流区域．从而可以确定在特定的注入电流范围内实现单基横模的最佳限制区倾角．
张宇生赵一广陈娓兮
关键词：半导体激光器VCSELS
微腔面发射半导体激光器的像散因子
1996年
微腔面发射半导体激光器的像散因子赵一广，张宇生，焦鹏飞，黄显玲，陈娓兮（北京大学物理系北京１００８７１）林世呜（中国科学院半导体所北京１０００８３）微腔半导体激光器的自发发射因子是当前非常热门的研究课题。理论预言，在微腔半导体激光器中自发发射因子可能...
赵一广张宇生焦鹏飞黄显玲陈娓兮林世呜
关键词：半导体激光器
垂直腔面发射半导体激光器的电过程、光波导过程及横模控制的研究
该文从理论上研究了增益波导垂直腔面发射半导体激光器的电过程和光波导过程,以及具有梯形截面掩埋结构的垂直腔面发射半导体激光器的横模控制,并实验研究了激光器结构对其远场和光束特性的影响.对电过程和光过程的研究采用从电压算起的...
张宇生
关键词：垂直腔面发射半导体激光器半导体激光器激光器半导体器件
平面微腔半导体激光器的横模控制
1997年
赵一广张宇生黄显玲焦鹏飞
关键词：微腔半导体激光器
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共1页<1>
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