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张佰君

作品数：11 被引量：13H指数：3
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信政治法律更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇政治法律

主题

  • 9篇激光
  • 9篇激光器
  • 6篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 5篇INGAAS...
  • 4篇调制
  • 3篇功率
  • 3篇高频
  • 3篇DFB激光器
  • 3篇大功率
  • 2篇带宽
  • 2篇电吸收
  • 2篇电吸收调制
  • 2篇电吸收调制D...
  • 2篇电吸收调制器
  • 2篇调制带宽
  • 2篇调制器
  • 2篇质子
  • 2篇质子轰击

机构

  • 7篇吉林大学
  • 5篇中国科学院

作者

  • 11篇张佰君
  • 4篇朱洪亮
  • 4篇衣茂斌
  • 4篇高鼎三
  • 4篇王圩
  • 4篇李德辉
  • 4篇刘国利
  • 3篇张静媛
  • 3篇汪孝杰
  • 3篇陈娓兮
  • 2篇许国阳
  • 1篇孙伟
  • 1篇马晓宇
  • 1篇叶小玲
  • 1篇周帆

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇中国激光
  • 2篇半导体光电
  • 1篇吉林大学自然...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1998
  • 2篇1997
  • 1篇1994
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
1.3μm　InGaAsP/InP高频大功率SPB-BC激光器
1998年
提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP／InP激光器结构（SPB－BC）．用P－InP做衬底．500μm腔长，最大输出功率为80mW，调制带宽6．0GHz．
张佰君衣茂斌李德辉申智渊苗忠礼高鼎三
关键词：激光器调制带宽寄生电容半导体激光器
选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料被引量：1
2001年
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .
刘国利王圩张佰君许国阳陈娓兮叶小玲张静媛汪孝杰朱洪亮
关键词：INGAASP多量子阱材料半导体材料
低波长漂移的电吸收调制DFB激光器被引量：2
2001年
采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的结果表明 :为提高 EML 的模式稳定性 ,必须减小调制器一端的反射率 ,同时增加DFB激光器的 κL.最终我们采用选择区域生长 (Selective Area Growth,SAG)的方法 ,制作了低光反馈出光面的单脊条形 EML,在 2 .5 Gb/ s的非归零 (NRZ)码调制下 ,经过 2 80 km的标准光纤传输后 ,没有发现色散代价 .
刘国利王圩汪孝杰张佰君陈娓兮张静媛朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器
论人民法院民事执行难的原因及破解对策
如果说司法是守护社会公平正义的最后一道防线,那么法院的执行程序就是这道防线的最后一个环节,它关系到生效法律文书能否实现,对维护当事人的合法权益、树立司法公信力和司法权威具有重要意义。执行难社会各界高度关注,人民群众反映强...
张佰君
关键词：执行难破解
文献传递
选择性质子轰击DC-PBH激光器
1997年
在普通双沟平面掩埋异质结（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器的基础上，采用质子轰击的技术，制作了一种新型的选择性质子轰击ＤＣ－ＰＢＨ激光器。这种新型的激光器结构与以前普通的ＤＣ－ＰＢＨ结构相比阈值电流降低，输出功率及量子效率得到提高，尤其是它的调制特性得到明显改善，这种结构激光器的调制带宽由原来的２．０ＧＨｚ提高到６．０ＧＨｚ。
张佰君衣茂斌李德辉申智渊高鼎三马晓宇
关键词：半导体激光器选择性质子轰击DC-PBH
高频大功率InGaAsP/InP SPB-BC激光器被引量：3
1998年
在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光器结构模型进行了理论分析。采用p-InP衬底,最大输出功率为80mW。500μm腔长激光器,它的调制带宽可以达到6.0GHz。
张佰君衣茂斌李德辉申智渊苗忠礼高鼎三
关键词：质子轰击调制带宽寄生电容半导体激光器
1.3μm InGaAsP/InP大功率短脉冲SPB-BC激光器被引量：1
1998年
本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行了详细的描述和测量．它的最低阈值电流小于１０ｍＡ，对于ｎ－ＩｎＰ衬底，它的最大输出功率为６５ｍＷ，ｐ－ＩｎＰ衬底，最大输出功率为８０ｍＷ．在重复频率为２．１ＧＨｚ时，测得光脉冲的半宽度（ＦＷＨＭ）为１８ｐｓ．
张佰君孙伟衣茂斌申智渊李德辉苗忠礼高鼎三
关键词：半导体激光器MOCVD
1.3μm InGaAsP/InP高速高功率SPB-BC激光器的研究
在论文中,利用掩埋新月型激光器具有高功率特点,又结合InP材料经过质子轰击电阻率提高这一特性,提出了一种新型的高速高功率激光器结构--选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC).这种结构的激光器具有很好的功率和高频调制特性...
张佰君
关键词：激光器高功率
选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器被引量：3
2001年
报道了采用选区外延生长技术制作的可实用的单脊条形电吸收调制DFB激光器。激光器的阈值为 2 6mA ,最大光功率可达 9mW ,消光比可达 16dB。减小端面的光反馈后 ,从自发发射谱上观察不到波长随调制电压的变化 ,调制器部分的电容为 1 5pF ,初步筛选结果显示阈值、隔离电阻、消光比基本没有变化 ,可应用在 2 5Gb/s的长途干线光纤传输系统上。
刘国利王圩许国阳陈娓兮张佰君周帆张静媛汪孝杰朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器脊型波导单片集成电路
质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器被引量：4
2000年
报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频DFB激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用 ,并减小了限制层的寄生电容 ;DFB激光器的斜率效率由注入前的 0 .147mW /mA提高到 0 .2 16mW /mA ;电容测试结果表明 :质子注入使 pnpn结构的势垒电容明显减小 ,激光器的寄生电容由注入前的约 10 0 pF降至注入后的 6 pF ;激光器的 3dB调制带宽由注入前的 50 0MHz提高到 5.6 6GHz。高温老化筛选结果表明 ,质子注入对激光器的可靠性基本没有影响。
刘国利张佰君朱洪亮张静媛汪孝杰王圩
关键词：DFB激光器质子注入半导体激光器
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