宋雅丽
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- CuxO电阻随机存储器的制备方法
- 本发明提供的一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对C...
- 林殷茵宋雅丽
- 文献传递
- 一种自对准形成上电极的WO<Sub>x</Sub>电阻存储器及其制造方法
- 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WO<Sub>x</Sub>电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔...
- 林殷茵吕杭炳唐立尹明宋雅丽陈邦明
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- 电阻存储器的激活操作方法
- 本发明涉及电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，在所述电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的脉宽为t<Sub>f</Sub>的宽脉冲电信号...
- 林殷茵万海军尹明周鹏宋雅丽
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- 电阻型存储器的制造方法及电阻型存储器
- 本发明涉及提供一种电阻型存储器（ReRAM）的制造方法以及电阻型存储器，属于电阻型存储器技术领域。该制造方法包括步骤：形成下电极层；在所述下电极层形成WOx介质层；用第一还原性气体对所述WOx介质层表面进行第一退火处理；...
- 林殷茵宋雅丽杨玲明刘易
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- 一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法
- 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化...
- 林殷茵宋雅丽王明
- 一种电阻存储器的激活操作方法
- 本发明涉及一种电阻存储器的激活操作方法，属于电阻存储器领域，用于具有激活电压的电阻存储器从初始高阻态向低阻态转换，包括步骤：(1)在电阻存储器上，施加使存储介质上的偏置电压低于所述激活电压的电信号；(2)保持所述电信号偏...
- 林殷茵万海军尹明周鹏宋雅丽
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- CuxO电阻随机存储器的制备方法
- 本发明提供的一种Cu<Sub>x</Sub>O电阻存储器的制备方法，属于存储器技术领域，所述CuxO电阻存储器的制备方法包括通过活性气体对所述CuxO电阻存储薄膜进行表面改性处理的特征步骤。通过对CuxO薄膜的表面改性处...
- 林殷茵宋雅丽
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- 一种电阻型存储器及其制备方法
- 本发明属存储器技术领域，提供了一种电阻型存储器及其制备方法，该电阻型存储器包括下电极、上电极以及置于上、下电极间的存储介质层，该存储介质层包括基于第二金属材料的金属氧化物层和基于第一金属材料的金属氮氧化物层，基于第一金属...
- 林殷茵刘易宋雅丽
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- AlO_x/WO_y阻变存储结构的转换特性和机理研究
- 2014年
- 通过构造AlO_x/WO_y双层结构实现了阻变存储器的均匀性、低功耗等特性,该器件阻变层中的AlO_x为氧空位渐变的梯度膜,从而使得形成的导电细丝更加稳定,在反复擦写过程中导电细丝断开和接上的位置基本不变,对应器件电学性能参数分布集中.采用阶梯脉冲信号结合Verify算法的方法对基于0.18μm CMOS工艺的Al/AlO_x/WO_y/W结构的阻变存储单元进行转换特性、可靠性的测试,统计结果表明:器件电学性能参数R_(on)、R_(off)和_(sct)等具有良好的均匀性,且无需高电压的初始置位过程;复位过程中复位电流小于15μA,远远小于单层器件Reset电流,很好地满足了存储器件的低功耗要求;在小电压长时间作用下,高低阻态仍保持不变,能有效地防止误擦写操作;通过高温烘烤测试,验证了器件的数据保持能力.同时,分析了WO_y薄膜在器件高低阻态转换过程中作为串联电阻降低复位电流的作用.
- 刘易宋雅丽王艳良林殷茵
- 一种自对准形成上电极的WO<Sub>X</Sub>电阻存储器及其制造方法
- 本发明属微电子技术领域，具体提供了一种以自对准形成上电极的WO<Sub>x</Sub>电阻存储器及制造方法。所述的存储器包括：下电极为铝互连工艺中层间钨栓塞，在钨栓塞上方形成的牺牲介质层和在牺牲介质层中形成的孔洞，位于孔...
- 林殷茵吕杭炳唐立尹明宋雅丽陈邦明
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