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孟鹂

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 4篇散热
  • 4篇芯片
  • 4篇芯片结构
  • 4篇键合
  • 2篇等离子体共振
  • 2篇散热能力
  • 2篇散热性
  • 2篇散热性能
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇探测器
  • 2篇响应度
  • 2篇离子
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇基板
  • 2篇键合工艺
  • 2篇溅射
  • 2篇光电
  • 2篇光电导探测器

机构

  • 6篇西安交通大学

作者

  • 6篇张景文
  • 6篇孟鹂
  • 4篇宋继东
  • 4篇候洵
  • 2篇李群
  • 2篇侯洵
  • 2篇安健
  • 2篇李高明

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法
一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法，包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜，ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒，在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极，Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间；或者ZnO薄膜上沉积有叉...
张景文宋继东李高明李群孟鹂侯洵
文献传递
复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构
本发明公开了一种复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构，所述复合基板其结构由下至上依次为基板、石墨烯。基板为LED垂直芯片中常用基板：CuW、SiC、Si、Mo等。此复合基板，可作为LED垂直芯片制造中键...
张景文布恩辉孟鹂李奉南宋继东候洵
文献传递
一种LED垂直芯片结构及制作方法
本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN层、n‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p‑GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积...
张景文布恩辉孟鹂安健李奉南候洵
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复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构
本发明公开了一种复合基板、制造方法及基于该复合基板的LED垂直芯片结构，所述复合基板其结构由下至上依次为基板、石墨烯。基板为LED垂直芯片中常用基板：CuW、SiC、Si、Mo等。此复合基板，可作为LED垂直芯片制造中键...
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一种LED垂直芯片结构及制作方法
本发明涉及公开了一种LED垂直芯片结构及制作方法，所述LED垂直芯片结构自下到上依次设有衬底、石墨烯层、ZnO纳米墙/GaN、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱及p-GaN。相比传统蓝宝石衬底LED芯片，发光面积大...
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一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法
一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法，包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜，ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒，在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极，Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间；或者ZnO薄膜上沉积有叉...
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