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领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 10篇显示装置
  • 8篇显示技术
  • 7篇晶体管
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  • 3篇电流方向
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  • 3篇面板
  • 3篇靶材

机构

  • 24篇京东方科技集...

作者

  • 24篇孙冰
  • 6篇曹占锋
  • 4篇戴天明
  • 4篇吕志军
  • 4篇石岳
  • 4篇舒适
  • 4篇刘震
  • 3篇李正亮
  • 3篇张斌
  • 2篇孔祥春
  • 2篇张方振
  • 2篇徐传祥
  • 2篇谷敬霞
  • 2篇姚琪
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  • 2篇卢珂鑫
  • 1篇张学辉
  • 1篇杨静
  • 1篇薛建设
  • 1篇郝照慧

传媒

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年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 6篇2015
  • 5篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种阵列基板、有机发光显示面板及显示装置
本发明公开一种阵列基板、有机发光显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,用以提高发光器件的发光效率。本发明提供的一种阵列基板,包括:基板、位于基板上呈矩阵排列的发光器件,每一发光器件与一个子像素单元位置相对应,还包括:分别...
孙冰
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一种CMOS晶体管及其制造方法
本发明提供一种CMOS晶体管的制造方法,包括在基板上形成沟道、栅电极、欧姆接触层和源、漏电极;其中形成所述沟道的步骤包括:S1.在基板上沉积非晶硅层,然后将所述非晶硅层晶化为多晶硅层;将所述多晶硅层进行刻蚀形成N沟道区域...
孙冰
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一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法
本发明的实施例提供了一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法,涉及电子技术领域,可以避免现有技术中光刻胶材料剥离时导致石墨烯薄膜脱落或者光刻胶在石墨烯膜层上残留的不良的情况,能够在保证生产成本的情况下提高产品良率。该方...
舒适吕志军谷敬霞石岳张方振孙冰徐传祥
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一种CMOS晶体管及其制造方法
本发明提供一种CMOS晶体管及其制造方法,其中形成沟道的步骤包括:S1.在基板上沉积非晶硅层,然后将所述非晶硅层晶化为多晶硅层;S2.向所述多晶硅层注入硼原子,然后通过刻蚀所述注入硼原子后的多晶硅层形成N沟道区域和P沟道...
孙冰
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薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括基板以及设置在基板上的栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,在栅极和有源层之间还设置有隔离层,隔离层至少在正投影方向上与面积较小的栅极和有源层...
曹占锋姚琪丁录科孙冰孔祥春
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一种OLED基板及其制造方法、显示装置
本发明提供一种OLED基板及其制作方法、显示装置,OLED基板包括基板、第一电极、发光层、第二电极和第二钝化层,其中,OLED基板还包括:钝化层格栅,位于所述第一电极和第二电极之间;所述钝化层格栅包括至少一个框状结构;所...
孙冰戴天明
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一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法
本发明的实施例提供了一种石墨烯图案化的方法及显示基板的制作方法,涉及电子技术领域,可以避免现有技术中光刻胶材料剥离时导致石墨烯薄膜脱落或者光刻胶在石墨烯膜层上残留的不良的情况,能够在保证生产成本的情况下提高产品良率。该方...
舒适吕志军谷敬霞石岳张方振孙冰徐传祥
一种物理气相沉积PVD溅射镀膜装置
本实用新型实施例提供一种物理气相沉积PVD溅射镀膜装置,涉及显示技术领域,通过对光谱吸收装置接收辉光的波长的判断,确定靶材是否被击穿,减小了靶材击穿事故的发生率,提高了生产产品的成功率。该物理气相沉积PVD溅射镀膜装置包...
李正亮刘震孙冰曹占锋
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改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究被引量:10
2012年
研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响。结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生。通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求。
刘翔薛建设周伟峰戴天明郝照慧杨静宁策张学辉孙冰
关键词:铟锡氧化物氮化硅薄雾
阵列基板及其制作方法、显示装置
本发明公开了一种阵列基板制作方法,涉及显示技术领域,包括以下步骤:S1:在基板上形成包括第一栅极的图形;S2:在步骤S1之后的基板上在所述第一栅极上方形成第二栅极,并对所述第二栅极的表面进行氧化处理形成栅绝缘层;其中,所...
孙冰
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共3页<123>
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