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孙云峰

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:北京师范大学物理学系更多>>
发文基金:中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇氧化物
  • 1篇原位
  • 1篇相分析
  • 1篇高温超导
  • 1篇SR
  • 1篇CA
  • 1篇CUO
  • 1篇超导

机构

  • 2篇北京师范大学

作者

  • 2篇孙寅官
  • 2篇孙云峰
  • 2篇丁凤莲
  • 2篇孙平

传媒

  • 1篇北京师范大学...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇1998
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
无限层薄膜(Sr,Ca)CuO_2的相分析
1998年
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在400~670℃和7~70Pa氧压下制备了(Sr,Ca)CuO2无限层薄膜.通过薄膜的X光衍射(XRD)测量来进行薄膜的相分析.A2CuO3+δ(A代表Sr,Ca)相在SrTiO3,LaAlO3,CaNdAlO4和MgO衬底上在400~600℃极易生成,而无限层ACuO2+δ相只能在高于470℃和相配的SrTiO3和LaAlO3;衬底上生成.在SrTiO3衬底上当温度高于600℃时,A2CuO3+δ相开始消失,出现了一个新的正交的绝缘相.
孙平孙云峰牛家胜丁凤莲孙寅官
关键词:高温超导相分析氧化物
原位电阻法监测无限层薄膜沉积和热处理过程
1998年
用原位电阻法监测了无限层薄膜(Sr0.7Ca0.3)0.9K0.1CuO2沉积时电阻随时间(即膜厚)的变化过程,以及薄膜热处理过程中电阻随温度的变化过程。通过监测了解到氧含量在无限层薄膜中起着重要作用。沉积完毕对真空室充入0.1MPaO2时薄膜吸氧。对薄膜热处理时,薄膜吸氧或放氧发生在330℃以上。低真空条件下的热处理过程是可逆的;而在高真空条件下,薄膜在高温时分解,显示出半导体行为。该方法直观有效,也可以成为制备其他非绝缘薄膜的监测手段。
孙平孙云峰牛家胜丁凤莲孙寅官
共1页<1>
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