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唐建军

作品数：7 被引量：7H指数：2
供职机构：中北大学电子与计算机科学技术学院电子测试技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇微加速度计
  • 3篇加速度
  • 3篇加速度计
  • 3篇GAN
  • 2篇压阻
  • 2篇拉曼
  • 2篇GAN基HE...
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电耦合
  • 1篇研磨
  • 1篇应力
  • 1篇应力测试
  • 1篇应力状态
  • 1篇砷化镓
  • 1篇隧穿
  • 1篇谱学
  • 1篇迁移率
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇微悬臂
  • 1篇力测试

机构

  • 7篇中北大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 7篇唐建军
  • 4篇梁庭
  • 3篇熊继军
  • 3篇薛晨阳
  • 3篇王勇
  • 2篇张倩倩
  • 2篇张文栋
  • 1篇史伟莉
  • 1篇杜文龙
  • 1篇张斌珍
  • 1篇叶挺
  • 1篇王勇
  • 1篇王杰
  • 1篇刘俊
  • 1篇谭振新
  • 1篇高杰
  • 1篇贾晓娟
  • 1篇刘君

传媒

  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量：1
2011年
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。
王杰张斌珍刘君唐建军谭振新贾晓娟高杰
关键词：共振隧穿二极管I-V特性砷化镓发射极
异质外延Si/GaN应力状态的拉曼光谱测试分析被引量：3
2010年
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅(111)衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的拉曼光谱测试,结果表明,自由状态下,GaN处于张应力状态,最大应力为342.272 MPa,同时Si衬底为压应力,但由于缓冲层的存在及影响,GaN中的张应力和Si中的压应力数值不完全相同。在对样品施加平行于(0002)面的外加压力后,随着加压的增大,GaN和Si的拉曼峰都发生蓝移,说明外加压力在材料内部造成了压应力。
唐建军梁庭熊继军王勇薛晨阳张文栋
关键词：光谱学拉曼光谱应力测试GAN
GaN基HEMT器件集成与输出特性研究
AlGaN/GaN异质结构材料体系是发展GaN基高温、高频、大功率微波电子器件最基本也是最重要的结构材料，深受国际上的关注。AlGaN/GaN异质结构材料体系具有很大的带阶差，很强的极化效应，即使不用任何掺杂，仅通过极化...
唐建军
HEMT高灵敏度微加速度计的设计与测试
2012年
根据压阻传感原理设计了GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)器件与Si基悬臂梁-质量块结构集成的微加速度。通过ANSYS结构应力仿真,GaN基HEMT作为敏感单元置于微悬臂梁结构根部的应力最大处。同时对微加速度计的关键研制工艺进行了设计和研究,成功制备出具有力电耦合特性的传感结构。并且测试了微结构在静态0～10g的惯性测试,结果表明GaN基HEMT器件具备明显的力电耦合效应,该微加速度计的灵敏度为0.24 mA/g,线性度为12.4%,适合研制高灵敏度的微加速度计。
史伟莉薛晨阳唐建军王勇刘俊张文栋
关键词：HEMTGAN微加速度计高灵敏度
GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试
2011年
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明：常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为（2.47±0.04）×10^-9Pa^-1,高于Si的压阻系数（7.23±3.62）×10^-10Pa^-1。同时测试了HEMT在-40-50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa^-1/℃的速率减小。
张倩倩唐建军王勇梁庭熊继军
关键词：加速度计ALGAN力电耦合
GaN基HEFT微加速度计的压阻系数测试
我校重点实验室与中电十三所合作，成功制备了GaN基HEFT微加速度计结构，并通过实验总结出一种测试GaN基HEFT器件压阻系数的方法，为新型微/纳机电压阻型器件的研究提供理论和实验依据.AIGaN/GaN的自发极化和压电...
张倩倩唐建军王勇梁庭熊继军
利用新设计磨具对铌酸锂晶片的减薄及减薄后的测试被引量：3
2010年
铌酸锂晶体具有较强的热释电效应,由铌酸锂制作的红外传感器敏感头受到科研人员的广泛关注。将晶片与硅衬底在200°C和压力100N的条件下键合,利用自行设计的磨具将铌酸锂减薄到40微米,磨料由水与刚玉以1∶1的比例制成。本文讨论了铌酸锂键合的过程,减薄的过程及厚度测试,通过拉曼光谱分析残余应力,通过原子力显微镜测试样品表面粗糙度。研究结果表明,通过自行设计的磨具研磨的晶片厚度最大差值7微米,较为均匀;研磨后晶片表面粗糙度为118纳米,较为粗糙;键合后存在一定的残余应力。制作好的铌酸锂晶片符合制作红外传感器敏感头的要求。
杜文龙梁庭薛晨阳唐建军叶挺
关键词：铌酸锂研磨晶片拉曼
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