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周春节

作品数:14 被引量:63H指数:5
供职机构:上海大学材料科学与工程学院复合材料研究中心更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金上海市自然科学基金上海大学创新基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇聚硅烷
  • 5篇硅烷
  • 4篇复合材料
  • 4篇复合材
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷先驱体
  • 3篇先驱体
  • 3篇C/C
  • 3篇C/C-SI...
  • 3篇C/C-SI...
  • 2篇烧蚀
  • 2篇烧蚀性能
  • 2篇聚碳硅烷
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学合成
  • 1篇乙烯
  • 1篇乙烯基
  • 1篇阴离子
  • 1篇阴离子聚合
  • 1篇英文

机构

  • 14篇上海大学
  • 1篇安徽建筑工业...

作者

  • 14篇张家宝
  • 14篇周春节
  • 12篇任慕苏
  • 11篇孙晋良
  • 10篇陈来
  • 4篇潘健峰
  • 3篇潘剑峰
  • 3篇钱林
  • 3篇白瑞成
  • 2篇崔园园
  • 2篇李金辉
  • 2篇张峰君
  • 2篇李建军
  • 2篇吴市
  • 2篇花永盛
  • 1篇沈建荣
  • 1篇李波
  • 1篇邵勤思
  • 1篇李现府
  • 1篇李红

传媒

  • 3篇上海大学学报...
  • 2篇上海金属
  • 2篇宁波化工
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇有机硅材料
  • 1篇材料导报(纳...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2005
  • 2篇2004
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
聚碳硅烷/二乙烯基苯与聚硅烷/二乙烯基苯的交联与裂解被引量:4
2004年
以二乙烯基苯(DVB)作为交联剂的聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)和聚硅烷(PS)/二乙烯基苯(DVB)两种体系来制备SiC陶瓷.对比了DVB加入量对于交联状态、陶瓷产率的影响,用SEM观察裂解样品的微观结构,用XRD研究了裂解样品的相组成.实验结果表明:PS/DVB体系的陶瓷产率高于PCS/DVB体系;且PS/DVB体系的陶瓷微观结构比PCS/DVB体系致密;其XRD分析表明所得陶瓷含β SiC.
李建军陈来孙晋良周春节张家宝任慕苏
关键词:聚碳硅烷聚硅烷二乙烯基苯交联裂解陶瓷先驱体
煤基碳泡沫综述被引量:6
2011年
概述了煤基碳泡沫的发展概况。阐述了煤基碳泡沫的制备方法和应用,分析了RVC碳泡沫、中间相沥青基碳泡沫和煤基碳泡沫的结构和性能特点,并且展望了煤基碳泡沫的潜在应用和研究方向。
邓涛略白瑞成邵勤思任慕苏张家宝周春节潘剑峰
关键词:碳泡沫
熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的研究进展被引量:18
2011年
综述了熔融渗硅法制备C/C-SiC复合材料的国内外研究和应用现状,重点分析了碳纤维预制体和C/C多孔体的制备,以及熔融渗硅过程对C/C-SiC复合材料性能和结构的影响,介绍了C/C-SiC复合材料作为热结构和摩擦材料在航空航天和先进摩擦制动系统中的应用,提出了C/C-SiC复合材料制备过程中存在的问题和今后研究的重点。
崔园园白瑞成孙晋良任慕苏张家宝周春节
C/C-SiC摩擦材料的研究进展被引量:2
2015年
综述了C/C-SiC摩擦材料的研究现状,以及C/C-SiC摩擦材料的发展历程。详细分析C/C-SiC摩擦材料的摩擦磨损性能影响因素及机理,介绍了C/C-SiC摩擦材料的改性及应用现状,并对未来的研究重点进行了展望。
李波崔园园李爱军周春节张家宝白瑞成
关键词:摩擦磨损性能改性
碳/碳复合材料工艺技术装备及应用
孙晋良任慕苏张家宝李红潘剑峰陈来周春节沈建荣凌宝民杨敏
该项目属于纺织科学技术领域,是对碳/碳复合材料工艺技术装备体系的创新研究。碳/碳复合材料是用碳纤维增强碳基体的一种高技术新材料,具有优异的抗烧蚀性、抗热震性、高比强度及高温性能稳定等一系列特点,已成为先进固体火箭发动机(...
关键词:
关键词:针刺工艺固体火箭发动机
电化学合成聚硅烷的反应速率被引量:3
2008年
采用电化学法,合成出含双键聚硅烷与不含双键聚硅烷,通过FT—IR,UV,^1HNMR表征其结构。分别研究了电化学反应体系和直接化学反应体系中Si—Cl键含量的变化,以及加入引发剂蒽对反应速率的影响。结果表明:含双键聚硅烷的合成反应速率快于不含双键的聚硅烷,相同反应电量下含双键聚硅烷反应体系中的Si—Cl键含量比不含双键聚硅烷少10%~15%;在电化学合成聚硅烷的过程中。单体与镁发生的格氏反应在整个反应中占有相当的比例;引发剂葸的加入能够有效地提高不含双键聚硅烷的反应速率。本文还对电化学合成聚硅烷的反应机理进行了推测。
吴市张峰君钱林陈来张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
关键词:聚硅烷电化学合成反应速率
助剂对二甲基二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响被引量:3
2005年
以二甲基二氯硅烷为反应单体、甲苯为溶剂 ,在超声波下 ,通过Wurtz法合成了聚硅烷。研究了助剂种类对该聚合反应的影响。结果表明 ,在甲苯溶剂中加入冠醚、二乙二醇二甲醚、六甲基磷酰三胺、聚醚等助剂可使该聚合反应在 80℃的较低温度下快速进行 ,从而降低了该聚合反应的危险性 ;冠醚、二乙二醇二甲醚、聚醚、六甲基磷酰三胺等对该聚合反应的促进作用 ,证明该反应活性中间体是阴离子活性体 ,该反应机理更倾向于阴离子聚合 ;冠醚的加入可极大地加快二甲基二氯硅烷的聚合反应 ;二甲基二氯硅烷加入后 ,反应立即进行 ,并放出大量的热 ,可根据反应温度的变化控制单体的滴加速率 ,防止爆聚现象出现 。
李金辉陈来潘健峰张家宝周春节任慕苏孙晋良
关键词:二甲基二氯硅烷助剂聚醚冠醚聚硅烷反应活性
超声波法合成聚硅烷的速率被引量:8
2005年
研究了在甲苯溶剂中,超声波、温度和助剂对甲基氢二氯硅烷Wurtz聚合反应的影响.结果表明超声波使该聚合反应在温度60°C条件下即可快速进行;而不使用超声波时,在80°C温度条件下,该反应也不能进行.二乙二醇二甲醚或冠醚络合剂的加入,加快了Si—Cl键的消耗速率,使该聚合反应在温度40°C条件下即可快速进行,有利于该聚合反应的控制.
李金辉陈来张峰君杨鸣张家宝周春节
关键词:超声波阴离子聚合
先驱体浸渗裂解法制备C/C-SiC复合材料的烧蚀性能(英文)被引量:7
2008年
用先驱体浸渗裂解法制备了碳纤维增强碳(carbon fiber reinforced carbon,C/C)-SiC复合材料,用H2-O2火焰法检测其烧蚀性能。结果表明:C/C-SiC复合材料的烧蚀率随复合材料中的Si含量的增加而呈下降趋势;经过5次浸渍,C/C-SiC复合材料的密度从1.46 g/cm3增加到1.75 g/cm3,Si含量从5.06%增加到13.8%,线烧蚀率和质量烧蚀率分别下降474%和34.5%。密度为1.75 g/cm3的C/C–SiC复合材料,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为2.22μm/s和1.289 mg/s,其线烧蚀率和质量烧蚀率分别为密度1.78 g/cm3的C/C复合材料的21.7%和78.6%。基体中SiC的引入明显提高了C/C复合材料的抗氧化烧蚀性能。
吴市陈来钱林张家宝潘健峰周春节任慕苏孙晋良
关键词:烧蚀抗氧化
气相生长碳纤维影响因素的研究被引量:2
2005年
采用基板生长工艺对各种影响气相生长碳纤维的因素进行分析。结果表明,选择硫化亚铁作为催化剂,氩气为载气,丙烯为碳源,炉内压力4200Pa左右,是气相生长碳纤维的最佳条件,可制备出直径均匀、表面光洁的碳纤维。
付铁岩孙晋良任慕苏陈来周春节张家宝潘剑峰
关键词:气相生长碳纤维硫化亚铁载气氩气碳源
共2页<12>
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