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叶崇志

作品数:12 被引量:43H指数:3
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金浙江省科技计划项目更多>>
相关领域:理学核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇钨酸
  • 11篇钨酸铅
  • 11篇晶体
  • 8篇钨酸铅晶体
  • 6篇下降法
  • 5篇闪烁晶体
  • 5篇坩埚下降法
  • 5篇光产额
  • 5篇产额
  • 4篇晶体生长
  • 2篇锗酸铋
  • 2篇生长速率
  • 2篇双掺杂
  • 2篇籽晶
  • 2篇坩埚下降法生...
  • 2篇离子
  • 2篇晶体生长过程
  • 2篇化学计量
  • 2篇高价离子
  • 2篇高能

机构

  • 10篇中国科学院
  • 3篇温州大学
  • 1篇同济大学

作者

  • 12篇叶崇志
  • 8篇廖晶莹
  • 5篇谢建军
  • 5篇杨培志
  • 4篇邵培发
  • 4篇沈炳孚
  • 4篇严东生
  • 4篇吴泓澍
  • 4篇李培俊
  • 4篇袁晖
  • 3篇徐家跃
  • 3篇向卫东
  • 2篇周乐萍
  • 2篇朱翔宇
  • 2篇刘海涛
  • 2篇殷之文
  • 2篇陈良
  • 2篇刘光煜
  • 2篇梁晓娟
  • 2篇倪海洪

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇化学研究

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锗酸铋闪烁晶体的研究综述被引量:21
2004年
锗酸铋(BGO)晶体是一种性能良好的闪烁晶体,在高能物理、空间科学、核医学等方面有着广泛的应用.作者综述了BGO晶体的发展历史、晶体的结构、晶体的生长及性能,从光谱特性、闪烁性能、辐照损伤和晶体缺陷三方面详细讨论了近年来BGO晶体的研究进展,分析了BGO晶体的发展前景.
廖晶莹叶崇志杨培志
关键词:闪烁晶体锗酸铋晶体缺陷高能物理光谱特性核医学
一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法
本发明公开了一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法,所述的方法为:纯度为99.999%的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料除去水分后,按化学计量比配料,混合均匀,置于坩埚烧料,然后升温使原料熔化,快速注入模具中,降温得到多...
向卫东徐家跃叶崇志杨昕宇梁晓娟刘海涛
文献传递
异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法,属于晶体生长领域。本发明用F<Sup>-</Sup>和Sb<Sup>3+</Sup>离子双掺杂,在此基础上引入Mo<Sup>6+</Sup>,V<Sup>5+</...
严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇
文献传递
工业应用氧化物闪烁晶体的下降法生长(英文)被引量:3
2007年
闪烁晶体广泛应用于高能物理、核医学成像和辐射探测等领域。工业应用通常要求闪烁晶体具有高性能、大尺寸和低成本等。本文报道了中国科学院上海硅酸盐研究所在锗酸铋、钨酸铅和氧化碲等闪烁晶体工业化生长方面的最新研究进展,讨论了坩埚下降法作为工业晶体生长技术的优缺点。
徐家跃叶崇志储耀卿廖晶莹葛增伟范世
关键词:下降法锗酸铋钨酸铅氧化碲
高光产额钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展被引量:7
2005年
钨酸铅(PbWO4 )晶体由于具有高密度、短辐照长度、高的辐照硬度和快发光等特点而成为目前最具发展潜力的闪烁晶体之一,但其光产额低的缺点限制了它在高能领域以外的应用。因此,提高钨酸铅晶体的光产额以使其在PET装置等低能领域获得应用已成为近年来钨酸铅晶体的研究热点。本文综述了高光产额钨酸铅晶体的研究现状,指出了目前存在的问题。结合理论分析,提出采用坩埚下降法晶体生长技术,离子掺杂和退火等措施是进一步提高钨酸铅晶体光产额的主要途径。
叶崇志杨培志
关键词:钨酸铅晶体坩埚下降法闪烁晶体高能光产额
高光输出钨酸铅晶体的探索与研究
钨酸铅(PbWO4,以下简称PWO)晶体光产额低的缺点限制了它在高能领域以外的应用,提高PWO晶体的光输出以使其在正电子发射断层扫描(Positron EmissionTomography,以下简称PET)装置等低能领域...
叶崇志
关键词:光学材料
一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法
本发明公开了一种钨酸铅闪烁晶体水平生长方法,所述的方法为:纯度为99.999%的PbO和WO<Sub>3</Sub>粉料除去水分后,按化学计量比配料,混合均匀,置于坩埚烧料,然后升温使原料熔化,快速注入模具中,降温得到多...
向卫东徐家跃叶崇志杨昕宇梁晓娟刘海涛
文献传递
F,Y双掺钨酸铅晶体的发光性能和微观缺陷被引量:13
2006年
通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试,研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO4,简称PWO)晶体的发光性能,并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶体中的缺陷种类和变化进行了分析.结果表明:与未掺杂晶体相比,双掺样品在350nm附近的透过率大大提高,吸收边向短波方向移动约30nm,光致发光谱中出现位于350nm的发光峰,双掺样品的LY(100ns内)为未掺杂PWO的2·7倍左右.晶体中主要存在的缺陷为(WO3)-和(WO4)3-,对双掺晶体进行600℃真空气氛下退火发现:晶体中(WO3)-和(WO4)3-缺陷浓度增加;而600℃空气气氛下退火则有利于填补氧空位,并将(WO3)-和(WO4)3-氧化为正常的钨酸根阴离子基团,从而改善晶体的发光性能.这一实验结果对提高PWO晶体的LY提供了新的思路.
叶崇志廖晶莹杨培志谢建军罗澜曹顿华
关键词:热释光正电子湮没寿命谱
阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法,属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题,生长出光产额达到...
严东生殷之文廖晶莹沈炳孚童乃志邵培发袁晖谢建军叶崇志周乐萍李培俊吴泓澍杨培志倪海洪刘光煜
文献传递
异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法
本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法,属于晶体生长领域。本发明用F<Sup>-</Sup>和Sb<Sup>3+</Sup>离子双掺杂,在此基础上引入Mo<Sup>6+</Sup>,V<Sup>5+</...
严东生谢建军袁晖廖晶莹沈炳孚童乃柱邵培发叶崇志熊巍李培俊吴泓澍展宗贵陈良朱翔宇
文献传递
共2页<12>
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