叶丽云
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院新型电子器件与应用研究所更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 200MHz高传输效率薄膜变压器的设计与制备被引量：1
- 2006年
- 实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器．铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备，SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌，表明薄膜容易开裂；能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着性差．通过溅射工艺参数及增加热处理等工艺初步解决了以上存在的薄膜制备工艺与IC工艺之间的兼容性问题．采用标准硅基IC工艺设计和制备了这种新型结构的薄膜变压器，对一组薄膜变压器样品的实验参数在20～210MHz的频率范围内作了测试．测试结果表明：对于设计的匝数比为1的薄膜变压器，在90～210MHz的频率范围内能获得最高为79％的变压比和良好的波形传输能力．
- 郑梁秦会斌胡冀徐军明叶丽云刘建
- 关键词：薄膜变压器集成电路工艺微波铁氧体
- 一种螺旋层叠型薄膜变压器的设计与仿真
- 2007年
- 薄膜变压器射频集成电路的一种关键器件。该文设计了一种层叠型螺旋薄膜变压器,并分别用MATLAB和Agilent ADS对薄膜变压器进行了S参数仿真。仿真结果表明,匝数N=15时,在160-240MHz频率范围之间,取得最高传输效率为98%。通过软件仿真研究了不同匝数比对薄膜变压器性能的影响,分析了产生这种影响的因素。
- 叶丽云秦会斌郑梁
- 关键词：薄膜变压器仿真
- NiFe层厚度对薄膜磁阻性能的影响被引量：6
- 2006年
- 用直流磁控溅射方法制备了以Ta为缓冲层的Ni80Fe20薄膜。研究了NiFe层厚度对薄膜电阻变化量ΔR的影响。实验发现ΔR随NiFe厚度先变大后减小,最大约为0.3Ω,当NiFe厚度达到140nm后ΔR趋于饱和。其变化的原因是NiFe厚度影响着晶粒尺寸和表面粗糙度,进而影响着电子的散射,使ΔR呈现上述的变化趋势。
- 季雅静秦会斌叶丽云
- 关键词：磁电阻磁控溅射
- 200 MHz高传输效率薄膜变压器的设计与制备
- 本研究实现了一种新型的基于硅IC工艺的微波铁氧体集成薄膜变压器.铁氧体薄膜采用射频磁控溅射法制备,SEM观察了SiO2层上铁氧体膜的表面形貌,表明薄膜容易开裂;能谱仪对薄膜成分的分析表明铁氧体薄膜与SiO2层和Al膜附着...
- 郑梁秦会斌胡冀徐军明叶丽云刘建
- 关键词：薄膜变压器集成电路工艺微波铁氧体
- 文献传递
