刘超
- 作品数：9 被引量：14H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程文化科学更多>>
- 光催化剂的构效关系和液相合成研究
- 光催化技术方面的研究工作在近年来受到了特别关注，这主要是因为其在光催化反应和光能储存与转换等领域所表现出的潜在应用前景，可为环境保护、材料绿色合成和能源供应等提供新的解决方案。尽管在相关光催化研究方面的工作呈现快速增长，...
- 刘超
- 关键词：光催化剂液相合成构效关系光催化活性
- Ga1-xInxNyAs1-y体系中平均键长的统计模型
- 2008年
- 提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布。然后结合前人实验采用Guass分布拟合各N最近邻原子团簇的存在几率,并总结出平均键长的公式。最后,用基于第一性原理的Material Studio软件中的DMol3模块计算并读取Ga28In4N1As31超单胞在不同N最近邻原子环境下的最优化键长,实现该组分条件下平均键长和应变的计算。结果表明,退火后局域应变和体系总应变均呈减少趋势,这与前人实验结果具有较好的一致性。
- 汤莉莉马远新唐吉玉文于华黄伟刘超吴利锋
- 关键词：第一性原理退火
- 偏振态显微成像技术用于细胞热损伤检测的研究被引量：1
- 2018年
- 本文采用偏振态显微成像系统对生物细胞热损伤进行监测。选取洋葱细胞、绿萝细胞作为实验样品,对洋葱细胞、绿萝细胞进行热损伤,通过比较细胞在热损伤前后的偏振态图像及其相应的偏振特性的变化,分析热损伤细胞的偏振特性变化而获得相关信息。实验结果表明,偏振态显微成像技术对于鉴别正常细胞和热损伤的细胞并评价细胞的损伤程度非常有效,比显微光强成像更清晰地反映了细胞形态结构发生的变化,在生物样品的特性研究及疾病诊断方面都有独特的优势,为鉴别与评价细胞损伤程度提供一种快速的、无损的、有效的新方法。
- 袁伟丽刘超王永松吴泳波唐志列
- 偏振态显微成像技术用于各向异性晶体生长的研究被引量：1
- 2018年
- 将偏振态显微成像技术应用于各向异性晶体生长的成像研究。以物体的偏振态作为物理量进行成像,将描述偏振态的3个Stokes参量转换成RGB三基色,实现用RGB的偏振色度值来表征相应的偏振态。在此基础上,利用共焦显微成像系统对物体进行逐点扫描,获得各向异性物体Stokes参量的空间分布,然后通过偏振色度值的分布来表征物体偏振态的空间分布。实验结果表明,偏振态显微成像技术能够直观地反映物体的全部偏振信息,有效地区分两种材料相同但内部结构排列不同的样品,通过观察晶体生长过程中各向异性的变化,为研究晶体的生长过程提供一种新的可视化方法。
- 刘超袁伟丽唐志列
- 关键词：成像系统各向异性晶体
- 退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙被引量：2
- 2008年
- 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.
- 文于华唐吉玉赵传阵吴靓臻孔蕴婷汤莉莉刘超吴利锋李顺方陈俊芳
- 关键词：带隙退火
- 小波理论在薄膜缺陷检测中的应用
- 随着电子工业的发展和信息产业的兴起，薄膜材料和薄膜技术已成为材料科学与工程研究领域的重点之一。
薄膜研究取得很大的进展，但在很多方面还需深入研究，影响薄膜性能一个要素是薄膜缺陷。
在薄膜缺陷检测领域，...
- 刘超
- 关键词：小波理论模式识别
- 文献传递
- 一种快速同时测量波片相位延迟量和快轴方位角的方法被引量：6
- 2018年
- 基于Mueller矩阵和斯托克斯矢量的测量原理及方法,实现了对波片相位延迟量和快轴方位角的快速同时测量。激光通过偏振片和标准1/4波片后产生标准的右旋圆偏振光入射待测波片,用斯托克斯测量仪记录通过样品后激光的斯托克斯矢量,同时得到待测波片的相位延迟量和快轴方位角;分析了标准1/4波片的参数误差及系统稳定性对测量结果的影响。利用该实验系统测量得到的波片相位延迟量和快轴方位角的平均标准差分别为±0.05°和±0.03°,同时,得到了云母波片及石英波片的参数与温度的实验关系。所提方法具有测量过程简单、精确度高及可以对未知各向异性材料相位延迟量及其等效快轴方位角进行实时测量等特点。
- 袁凯华邓剑勋刘超黄佐华
- 关键词：波片
- 基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响被引量：4
- 2009年
- 基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.
- 吴利锋唐吉玉文于华汤莉莉刘超
- 关键词：重掺杂
- GaN基LED外延片结构设计与生长
- 近年来，发光二极管(LED)的性能得到了显著的提升，在户外照明、汽车车灯、背光显示及微电子器件方面得到了广泛的应用。但是仍然有一些问题阻碍LED更广泛的应用。首先，LED的发光效率仍然有待进一步提高，单位流明的成本有待进...
- 刘超
- 关键词：发光二极管氮化镓性能分析
