刘超
- 作品数：63 被引量：87H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 世界主要MBE设备制造商及产品简介被引量：1
- 2009年
- 本文根据Riber、Veeco、DCA Instruments等著名公司的最新资料简要介绍了世界上主要分子束外延设备制造公司及其主流产品的基本情况，供国内相关领域的读者在了解和选购MBE产品时作参考。
- 刘超包兴明
- 关键词：分子束外延半导体薄膜
- 锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：5
- 2010年
- InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。
- 李彦波刘超张杨赵杰曾一平
- 关键词：双色探测器
- 常用太阳电池结构模拟软件应用分析
- 2013年
- 对PCID、SCAPS-1D、AMPS、FORS--HET四种太阳电池一维结构模拟软件进行了应用分析，重点介绍它们的应用范围、软件结构、主要功能及其技术特色。四种软件的基本功能相似，均可在PC机上对常见半导体太阳电池的结构进行模拟计算，但侧重点各不相同。以典型太阳电池器件为例，对上述软件分别进行了模拟计算演示，模拟结果均与实验结果十分符合，显示了太阳电池模拟软件在优化电池器件结构设计上的重要应用价值。
- 张理嫩崔利杰刘超
- 关键词：太阳电池模拟软件AMPS
- 半导体光放大器封装用的具有斜面结构的热沉
- 一种半导体光放大器封装用的具有斜面结构的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉，该热沉为一矩形，该热沉包括一上臂、一下臂，该上下臂之间有一立柱，该立柱的断面为梯形，该上下臂与立柱一次切割制作。使用该结构设计的热沉不仅可以仍能...
- 刘超袁海庆祝宁华
- 文献传递
- 垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合效率模拟分析被引量：5
- 2006年
- 采用FRESNEL光学软件和MATLAB软件,详细分析了垂直腔面发射激光器的TO封装组件对耦合效率的影响.发现增加耦合透镜的折射率、减少管帽的高度和耦合透镜的尺寸可以提高耦合效率.
- 刘超王欣袁海庆钟宝暶祝宁华
- 关键词：垂直腔面发射激光器TO封装
- 双能态Cr+注入法制备GaCrN铁磁性薄膜
- 2007年
- 采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Hall法对3种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.
- 姜丽娟王晓亮刘超肖红领王翠梅冉军学胡国新李建平
- 关键词：稀磁半导体离子注入铁磁性
- MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料
- 2005年
- 采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.
- 方测宝王晓亮刘超胡国新王军喜李建平王翠梅李成基曾一平李晋闽
- 关键词：MOCVDGAN电阻率
- Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
- 2013年
- Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。
- 杨秋旻刘超崔利杰曾一平
- 关键词：叠层太阳能电池掺杂
- Ⅱ-Ⅵ族三元合金薄膜生长与掺杂工艺研究现状被引量：1
- 2016年
- 相对于Ⅱ-Ⅵ族二元化合物,三元合金在调节带隙宽度和晶格常数上的灵活性使其应用前景更加广阔,并有希望解决Ⅱ-Ⅵ族材料普遍存在的单极性掺杂难题而成为未来新型光电器件发展的一个重要方向。文章着重介绍了分子束外延(MBE)技术生长ZnSeTe、CdZnTe、CdSeTe等Ⅱ-Ⅵ族三元合金单晶薄膜的研究现状,分析了MBE生长三元合金时需要考虑的问题,介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料n/p型掺杂的常用元素和掺杂方式,讨论了限制Ⅱ-Ⅵ族材料有效掺杂的物理机制和三元合金在掺杂方面的研究动态,并对三元合金薄膜的发展前景进行了展望。
- 任敬川刘超崔利杰曾一平
- 关键词：掺杂
- SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析被引量：1
- 2006年
- SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。
- 王广甫刘超李建平
- 关键词：SIGE合金
