- GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较被引量：3
- 2008年
- GaN基白光LED以其效率高、响应快及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而且会带来严重的热问题。为了解决这些问题,考虑了在照明领域用脉冲电流来驱动大功率LED的可能,比较了直流和脉冲两种情况下LED的性能表现,这些性能包括电学、光学和热学等各方面;详细讨论了脉冲信号的参数对光输出的影响。研究结果表明对于LED在照明方面的应用而言,在相同的电注入功率下,直流情况下LED的光通量要比脉冲情况下的光通量高。
- 王力范冰丰冼钰伦王钢
- 关键词：白光LED直流脉冲光通量
- 一种半导体照明灯具散热结构
- 本发明涉及一种半导体照明灯具散热结构，目的在于不改变半导体灯具体积的条件下，有效调节灯具内部散热器件的散热功率分布，形成合理的灯具内气体温度梯度，进而配合灯具外壳结构形成的气流换热通道，达到提升灯具内换热气体流动速率，即...
- 王钢冼钰伦祁山吴昊
- 文献传递
- 一种高稳定的增强显色性LED光源模块
- 本发明公开一种高稳定的增强显色性LED光源模块，包括基板及设于基板边缘上的混光腔体，混光腔体内设有白光LED芯片、彩色LED芯片及光传感器，混光腔体内填充有第一透光介质，混光腔体出光口处设有第二透光介质，混光腔体内壁与第...
- 吴昊王钢凌敏捷冼钰伦
- 文献传递
- 一种新型垂直结构的硅基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题,以及降低其工作电压,本论文阐述了一种工艺简单的新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED),利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和...
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：SI衬底绿光LED电流扩展
- 文献传递
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 2008年
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- LED光源模块
- 本发明涉及LED照明装置，尤其涉及一种LED光源模块，包括LED发光模组和模组基座，其特征在于：该LED光源模块还包括光学罩板，所述光学罩板固设于所述模组基座，与所述模组基座界定出一闭合空间，所述LED发光模组设置于所述...
- 王钢冼钰伦祁山薛志强高艳春
- 文献传递
- GaN基白光LED在直流与脉冲驱动下的性能比较
- GaN基白光LED以其效率高、响应快及尺寸小等优点,有望成为下一代的照明光源。但是要想取代传统照明光源,LED的光输出仍然是一个局限。提高光输出最直接的办法就是提高工作电流密度,但是光输出随着电流密度的增加会出现饱和,而...
- 王力范冰丰冼钰伦王钢
- 关键词：白光LED直流脉冲光通量
- 文献传递
- 一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法
- 本发明公开了一种荧光粉膜层制作方法及其得到的荧光粉膜层封装方法。本发明的特点是在封装过程中采用旋涂荧光粉胶的方法独立制作荧光粉膜层，再将荧光粉膜层覆盖在涂有隔热材料的LED芯片上，最后固化隔热材料完成白光LED荧光粉的涂...
- 张佰君蚁泽纯凌敏捷吴昊冼钰伦
- 文献传递
- 一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
- 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层...
- 卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢
- 关键词：硅衬底通孔电流扩展绿光LED
- 文献传递
- 一种半导体照明灯具散热结构
- 本发明涉及一种半导体照明灯具散热结构，目的在于不改变半导体灯具体积的条件下，有效调节灯具内部散热器件的散热功率分布，形成合理的灯具内气体温度梯度，进而配合灯具外壳结构形成的气流换热通道，达到提升灯具内换热气体流动速率，即...
- 王钢冼钰伦祁山吴昊
- 文献传递
