您的位置： 专家智库 > >

冯玉春

作品数：35 被引量：128H指数：8
供职机构：深圳大学更多>>
发文基金：深圳市科技计划项目广东省粤港关键领域重点突破项目广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 25篇电子电信
  • 12篇理学
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 12篇GAN
  • 11篇GAN薄膜
  • 11篇MOCVD
  • 8篇蓝宝
  • 8篇衬底
  • 7篇蓝宝石
  • 5篇氮化镓
  • 5篇蓝宝石衬底
  • 5篇SI(111...
  • 5篇表面处理
  • 4篇光子
  • 4篇发光
  • 3篇带隙
  • 3篇晶体
  • 3篇光子晶体
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 3篇半导体
  • 2篇英文
  • 2篇前处理

机构

  • 34篇深圳大学
  • 10篇中国科学院
  • 7篇河北工业大学
  • 5篇中国科学院研...
  • 2篇佛山科学技术...
  • 2篇西安理工大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇华南师范大学

作者

  • 35篇冯玉春
  • 14篇牛憨笨
  • 13篇彭冬生
  • 8篇朱军山
  • 7篇郭宝平
  • 6篇刘彩池
  • 5篇郑瑞生
  • 5篇王文欣
  • 5篇胡加辉
  • 5篇徐岳生
  • 5篇刘晓峰
  • 4篇郝秋艳
  • 4篇施炜
  • 3篇赵丽伟
  • 3篇张建宝
  • 3篇杨建文
  • 2篇景微娜
  • 2篇王海云
  • 2篇杨媛
  • 2篇冯松

传媒

  • 7篇光子学报
  • 4篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇电子器件
  • 2篇发光学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光学技术
  • 1篇材料导报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇西安理工大学...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国现代教育...
  • 1篇中国照明
  • 1篇第十届全国M...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 5篇2007
  • 8篇2006
  • 8篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2000
共 35 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究
2005年
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。
朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平
关键词：SI(111)GAN
MOCVD法横向外延过生长GaN薄膜被引量：4
2009年
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。综述了该技术的发展历程以及最新进展。新型的横向外延过生长技术大大简化了生长工艺以及降低了晶向倾斜。
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：无机非金属材料MOCVDGAN
SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究被引量：1
2010年
在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场强度、分支角度、分支过渡区长度以及附加损耗等之间的关系,选择的Y分支光功率分配器过渡区长度L为1200μm,光束被平均分配到两个分支中,出口处每束光的强度大约是入口处强度的50%,符合Y分支器的3 dB特性。该设计可以获得具有均匀输出特性,当分支角小于1°的时候,附加损耗小于0.5 dB的低损耗SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器。
冯松高勇杨媛冯玉春
含有理想导体的准分形结构光子晶体的能带被引量：8
2004年
用时域有限差分方法计算了一组具有相似几何结构且包含理想金属材料的准分形光子晶体的能带 .数值计算结果表明 ,这种准分形结构光子晶体具有绝对带隙 ,且带隙的宽度会随着分形级数的增大而增大 .同时 ,随着级数的增大 ,其能带在整体地趋向于高频端的同时 。
李岩郑瑞生冯玉春牛憨笨
关键词：光子晶体带隙
前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜
2007年
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：前处理MOCVDGAN薄膜
图形蓝宝石基GaN性能的研究被引量：1
2009年
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对GaN光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的GaN薄膜晶体质量及光学质量最优,X射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的近带边发射峰强度最强,其半高全宽也降低到6.7 nm,几乎看不到任何黄光带。
彭冬生冯玉春郑瑞生牛憨笨
关键词：GAN薄膜表面处理MOCVD
蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响被引量：5
2008年
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射率色散公式,计算得到GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果几乎一致;在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长的GaN薄膜表现出更优异的光学质量和结晶质量,其透射谱具有更高的透射率和更大的调制深度,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.
彭冬生冯玉春刘文刘毅牛憨笨
关键词：GAN薄膜光学性质表面处理MOCVD
功率半导体器件的发展和市场被引量：2
2000年
功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长，而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以 Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体，是今后发展的重点。
冯玉春
关键词：功率器件功率半导体器件半导体产业
大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响被引量：16
2008年
由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2Ω降低到0.9Ω,然后再升高到1.9Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接近50%,成为大功率输入时影响LED流明效率的主要因素.
李炳乾刘玉华冯玉春
关键词：自加热等效串联电阻发光二极管
Monte Carlo模拟薄膜生长的研究被引量：3
2006年
阐述了MonteCarlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了MonteCarlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法。同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题。
彭冬生冯玉春牛憨笨
关键词：MONTE薄膜生长
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0