冯兰胜
- 作品数：15 被引量：12H指数：2
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- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- MOCVD系统流场分析与反应室结构设计研究
- 氮化镓(GaN)基半导体材料是一类最为重要的宽禁带半导体材料。MOCVD（ Metal Organic Chemical Vapor Deposition）设备是制备GaN基半导体材料的主要途径。MOCVD设备具有生长材...
- 冯兰胜
- 关键词：氮化镓薄膜气相外延生长流场分析
- 基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于非极性GaN的肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：GaN衬底，位于GaN衬底上的竖立多沟道层，位于竖立多沟道层上的GaN帽层，位于GaN衬底背面的欧姆接触电极，以及位于GaN帽层上的肖特基接触电极...
- 许晟瑞吴前龙陶鸿昌冯兰胜张进成郝跃
- 文献传递
- 基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层的GaN基发光二极管及制备方法
- 本发明公开了一种基一种基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层结构的GaN基发光二极管及其制备方法，主要解决现有LED电流扩展层对光子的反射损耗与电流扩展不均匀的问题。其自下而上包括：4H‑SiC或蓝宝石衬底、高温...
- 许晟瑞黄钰智冯兰胜范晓萌张雅超张进成朱卫东郝跃
- 文献传递
- 垂直式MOCVD中生长参数对GaN材料生长的影响被引量：2
- 2016年
- 为了更好地研究GaN材料生长过程,笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响.随着反应气体进入反应室的速度升高,反应室内预反应会增强,GaN生长速率升高,同时GaN厚度的不均匀性也会升高;在同样的进气速率下,反应室压强减小,可在一定范围内提高GaN生长速率,但同时增加衬底中央区域厚度,导致厚度不均匀增加.
- 冯兰胜过润秋张进成
- 关键词：GAN金属有机物化学气相淀积生长速率反应动力学
- GaN薄膜外延过程的动力学蒙特卡洛仿真被引量：1
- 2016年
- 为更好研究GaN材料的生长机理,提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型,并结合动力学蒙特卡罗方法模拟了垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中GaN的生长过程.模拟结果表明,在垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN时,首先发生加合反应,随着反应物逐步接近高温衬底,再转变为热解反应,最终生成GaN.GaN的生长速率随温度的升高而升高,而衬底的表面温度均匀性会直接影响最终材料的表面形貌.文中还在动力学蒙特卡罗方法中模拟了反应粒子在衬底表面的扩散和脱附过程,这些过程均主要受温度的影响,并影响材料的表面形貌和生长速率.
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- 关键词：GAN反应动力学
- 一种铝基片研磨机自动上下料装置及上下料方法
- 本发明公开了一种铝基片研磨机自动上下料装置及上下料方法，包括小车进出轨支架和铝基片自动取放小车，铝基片自动取放小车支撑在小车进出轨支架上，并沿研磨机下平台做圆周运动；铝基片自动取放小车上吸嘴装置设在升降平移机构上，料盒设...
- 张大兴冯兰胜高宏伟章云
- 文献传递
- 一种铝基片厚度高精度在线快速测量装置及测量方法
- 本发明公开了一种铝基片厚度高精度在线快速测量装置及测量方法，包括安装在基础平台上的水平驱动装置、垂直驱动装置和传送轨，水平驱动装置上设有一对姿态调整装置，每个姿态调整装置上安装有激光出射头，一对激光出射头上分别连接有光纤...
- 张大兴高宏伟冯兰胜章云
- 文献传递
- 一种铝基片研磨机自动上下料装置及上下料方法
- 本发明公开了一种铝基片研磨机自动上下料装置及上下料方法，包括小车进出轨支架和铝基片自动取放小车，铝基片自动取放小车支撑在小车进出轨支架上，并沿研磨机下平台做圆周运动；铝基片自动取放小车上吸嘴装置设在升降平移机构上，料盒设...
- 张大兴冯兰胜高宏伟章云
- 文献传递
- 基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
- 本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上SiGe晶圆顶层SiGe层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层SiGe层进行离子注...
- 过润秋戴显英冯兰胜梁彬盛喆苗东铭焦帅祁林林
- 文献传递
- MOCVD反应室流场分析及其对GaN生长的影响被引量：2
- 2017年
- 为了优化设计金属有机[化合物]CVD反应室,以生长出高质量的GaN材料,对一种垂直喷淋式金属有机[化合物]CVD系统中生长GaN材料的生长过程进行了模拟.模拟结果表明,反应室中衬底石墨基座的旋转速度和反应室的高度对GaN生长过程中的气相传输过程和材料质量均有影响.随着基座旋转速度的升高,反应室内部的流场分布趋向均匀,衬底表面的气体流速变快,GaN生长速率升高,并且厚度均匀性也变好,但是速度超过一定限度后会使生长速率降低;在同样的生长条件下,反应室的高度越高,反应室内部的流场分布越均匀,这有利于提高材料的均匀性,同时GaN生长速率先降低后升高,但气相传输中的气相预反应会逐渐增强.
- 冯兰胜过润秋张进成
- 关键词：GAN反应动力学
