于毅
- 作品数：10 被引量：29H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中...
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射刻蚀工艺
- 文献传递
- 中国向巴西直接投资问题研究
- 于毅
- 硅基AlN薄膜的成分与表面分析
- 采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜.用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析.
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜表面形貌磁控反应溅射
- 文献传递
- 直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：13
- 2005年
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°～0.40°,折射率约为2.07。
- 于毅赵宏锦高占友任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射
- 硅基AlN薄膜制备技术与测试分析被引量：9
- 2005年
- 采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° .
- 于毅任天令刘理天
- 关键词：AIN薄膜直流磁控反应溅射
- AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：3
- 2003年
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础。
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射
- RF AlN薄膜体声波谐振器
- 薄膜体声波谐振器(TFBAR)作为制作中心频率在900MHz到3GHz的射频带通滤波器的一种解决方案,显示了广阔的应用前景。基于TFBAR的滤波器比现有的介质滤波器的尺寸小很多,适于集成于芯片上,使得使用VLSI工艺将带...
- 于毅
- 关键词：薄膜体声波谐振器氮化铝磁控反应溅射
- 文献传递
- AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/St(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中...
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射刻蚀
- 文献传递
- 硅基AIN薄膜的成分与表面分析
- 采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基A1N薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜表面形貌
- 文献传递
- 硅基AlN薄膜的成分与表面分析被引量：1
- 2003年
- 采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜表面形貌
