齐超
- 作品数：57 被引量：46H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关
- 本发明涉及一种脉冲响应型瞬时电离辐射敏感电子开关，采用辐射探测、RC延时、组合逻辑及驱动相结合的脉冲响应型瞬时辐射敏感电子开关，该开关驱动能力和抗电磁干扰能力强，灵敏度高，可用于瞬时电离辐射下避免电子器件或系统发生闩锁。...
- 李瑞宾王桂珍陈伟齐超杨善潮
- 文献传递
- 静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究
- 在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存...
- 杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾
- 关键词：静态随机存储器
- 商用CMOS工艺SRAM脉冲中子辐射效应实验被引量：1
- 2016年
- 为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用SRAM开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。
- 齐超杨善潮刘岩陈伟林东生金晓明王晨辉
- 关键词：脉冲中子单粒子翻转静态随机存储器
- 脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法
- 本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数...
- 陈伟齐超王晨辉郭晓强杨善潮王桂珍李瑞宾白小燕刘岩金晓明李俊霖
- 文献传递
- 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离射翻转效应实验研究
- 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对...
- 刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山
- 关键词：静态随机存储器
- 文献传递
- 瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响
- 对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较...
- 马强林东生范如玉陈伟杨善潮龚建成王桂珍齐超
- 关键词：BIMOS集成运算放大器剂量率
- 文献传递
- 双极型运放μA741瞬时电离辐射效应研究
- 建立了运放瞬时电离辐射效应在线测试系统,选取双极型运算放大器μA741,在西北核技术研究所的"强光一号"加速器上进行了实验。结果显示双极运放μA741的瞬时辐射恢复时间与压摆率有关。利用PSpice模拟显示,对具有内补偿...
- 马强金晓明杨善潮范如玉陈伟林东生龚建成王桂珍齐超
- 关键词：PSPICE
- 文献传递
- 一种纳米集成电路大气中子单粒子翻转率预估方法
- 本发明提供了一种纳米集成电路大气中子单粒子翻转率预估方法，能解决现有方法预估的纳米集成电路大气中子单粒子翻转率结果偏高、精度差的技术问题。该方法步骤为：步骤1、获取散裂中子源中子单粒子翻转平均截面σ<Sub>Spalla...
- 齐超陈伟郭晓强白小燕
- CMOS工艺单片机IO电路电离辐射效应模拟计算
- MOS工艺单片机IO电路的电离辐射效应进行了模拟计算.建立了NMOS寄生晶体管的物理模型,计算了晶体管阈值电压随总剂量的变化.通过改变晶体管的阈值电压,模拟了单片机IO电路的辐射响应,分析了典型结构电路参数的退化机制.模...
- 金晓明齐超杨善潮白小燕李瑞宾王桂珍刘岩
- 关键词：寄生晶体管
- 双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别
- 通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果 ...
- 王晨辉陈伟金晓明刘岩齐超杨善潮
- 关键词：总剂量效应
