黄昆
- 作品数:13 被引量:50H指数:4
- 供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金:国家攀登计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学经济管理历史地理机械工程更多>>
- 半导体超晶格的晶格振动被引量:1
- 1994年
- 超晶格的晶格振动(声子)和电子态同样是超晶格物理的重要基础。但是,对前者的研究和认识远不及后者。加强超晶格的晶格振动研究显然是十分有意义的。 半导体超晶格国家重点实验室在过去几年中集中地进行了超晶格声子Raman散射和光学振动模的研究。在理论研究中发展了超晶格的Raman散射理论。对光学振动模进行了全面的研究,确立了新的认识。在这些研究中,光学振动模的研究可能是最具有自己特色的,并在这一领域中是最有影响的工作。在实验研究中。
- 黄昆
- 关键词:半导体超晶格晶格振动喇曼散射
- 量子阱中光致热电子荧光的偏振和轻重空穴混合被引量:4
- 1991年
- 本文在考虑量子阱中轻重空穴混合效应的理论基础上,导出线偏振激光激发的热电子荧光的偏振度.结果和B.P.Zakharchenya等及D.N.Mirlin等最近采用的,直接从三维体材料理论移植过来的公式有很大的不同.本文进一步导出,存在无规化准弹性散射和有外加垂直磁场时,引起的附加退偏振因子.根据理论和实验的比较,可以求获LO-声子非弹性散射及无规化准弹性散射的时间常数.以文献中发表的一项实验结果为例,具体给出两种散射的时间常数.
- 黄昆朱邦芬
- 关键词:热电子荧光偏振激光
- 半导体超晶格和微结构被引量:4
- 1991年
- 本文结合国家科学基金重大项目“半导体超晶格和微结构”的一部分研究工作(超晶格材料的生长技术,量子阶,超晶格的光学声子模,能带类型和超晶格类型的双重转变,隧穿的研究,光调制反射谱的机理),对有关的基础知识和所取得的成果作扼要的介绍。
- 黄昆
- 关键词:半导体超晶格微结构
- 我的研究生涯被引量:5
- 2002年
- 在黄昆先生 80寿辰时 ,新加坡的WorldScientific出版社用英文出版了黄昆先生的论文选集 :SelectedPapersofKunHuang .黄昆先生为选集中收集的 2 0篇论文专门写了一篇《注释》 .看过该选集的同志都认为《注释》实际上总结和介绍了黄昆先生一生中做研究工作的经历和经验 ,对所有从事科学研究的同志 ,尤其是年轻同志 ,很有教益 ,建议《物理》杂志将《注释》翻译成中文发表 .后来我们了解到 ,北京大学的张树霖教授已将《注释》译成中文 .在张树霖教授的支持和帮助下 ,《注释》的中文翻译稿经黄昆先生校订并征得他本人以及WorldScientific出版社的同意 ,现在本刊“特约专稿”栏以“我的研究生涯”为题刊登 ,以飨读者 .
- 黄昆张树霖王建朝
- 关键词:物理学家半导体物理学物理教学物理学研究固体物理学
- 晶格弛豫和多声子跃迁理论被引量:26
- 1981年
- 近年的发展日益证明,固体中的局域电子态所导致的晶格弛豫(晶格原子位置移动)是局域电子态的一项基本特征,能够引起许多重要的效应。在局域态的吸收和发射光谱中,由于晶格弛豫而引起斯托克斯位移和光谱的多声子结构(多声子的光跃迁)。晶格弛豫又可以在不同电子态之间引起无辐射跃迁,其中的能量变化完全由多声子的发射或吸收来补偿(多声子无辐射跃迁)。本文以线性的电子—声子作用和简谐近似的晶格模型为基础,系统地总结阐明多声子的光跃迁理论和多声子的无辐射跃迁理论。关于光跃迁的部份既介绍了直接计算跃迁几率的方法,也介绍了采用傅里叶变换的理论,并分析了连续谱和多声子结构相互叠加的一个光谱实例。关于无辐射跃迁的部份着重分析和澄清了多年来环绕所谓“康登近似”出现的矛盾,从而把近年来不同的理论发展置于统一的基础之上。介绍了估算跃迁几率的最陡下降法。最后讨论了强耦合和弱耦合的情形。
- 黄昆
- 关键词:跃迁几率初态声子准粒子电子态光跃迁
- 半导体物理学发展简况被引量:5
- 1993年
- 根据今年在北京召开的第21届国际半导体物理会议上的总结性发言,对当今半导体物理学的发展作了简要的介绍.给出了对近五次半导体物理国际会议上论文的分类(体材料性质、表面与界面、异质结和超晶格、小量子系统、杂质和缺陷及一般问题)统计结果.指出由均匀材料的研究向微结构材料研究转移,代表近年主要的发展趋势.对微结构材料研究,具体列举了在超周期性质和空间限制效应上的研究进展,并强调了对物理学前沿发展的重要推动作用.
- 黄昆
- 关键词:半导体物理微结构材料
- 多量子阱的声子喇曼散射理论
- 黄昆朱邦芬汤蕙
- 关键词:半导体物理量子电子学声子喇曼散射放大
- 《Selected Papers of Kun Huang》的‘序言’和‘注释’的中文译本
- <正>序言中科院半导体所为我的八十岁生日安排出版一本我自己选编的论文集。这也为我提供了一个回首往昔所做工作的机会。当我同年轻的同事们探讨如何才能做好物理学研究,或是同一些对我在物理学方面所做的工作感兴趣的人接触的时侯,我...
- 黄昆张树霖王建朝
- 文献传递
- 我国半导体物理研究进展被引量:5
- 1999年
- 简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展.它包括三个方面:半导体超晶格、微结构;半导体表面、界面和杂质、缺陷;以及半导体新材料、新结构.这些进展说明,半导体物理研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地位,它仍是一门年轻的、富有生命力的学科,预期在将来有更大的发展.
- 夏建白黄昆
- 关键词:半导体超晶格微结构半导体物理
- 多量子阱中激子作为中间态的喇曼散射微观理论
- 朱邦芬黄昆汤蕙
- 关键词:量子电子学喇曼散射放大激子