黄少华
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会基础研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- CdSe/ZnSe异质结构中Zn_(1-x)Cd_xSe量子岛(点)的显微荧光光谱和显微拉曼光谱研究被引量：4
- 2006年
- 利用显微荧光和显微拉曼光谱,研究了分子束外延生长的CdSe/ZnSe异质结构中,由两种不同机理形成的两类具有不同尺寸和组分的Zn1-xCdxSe量子岛.4·2K时的显微荧光光谱表明,当CdSe淀积厚度由1·8ML增加到2·3ML时,Zn1-xCdxSe量子岛的激子荧光峰有166meV的较大红移,这是量子岛尺寸改变引起的量子限制势能变化所不能完全解释的.经过对样品的显微荧光和显微拉曼光谱的对比分析,发现还存在另外两种引起量子岛荧光峰较大红移的机理:一方面是因为随着CdSe淀积厚度的增加,具有更低能态的大岛密度的增加,并逐渐取代小岛而主导Zn1-xCdxSe量子岛的荧光性质;另一方面是由于CdSe/ZnSe量子结构中的两类量子岛的Cd组分浓度也会随CdSe淀积厚度的增加而增加,从而引起量子岛荧光峰的较大红移.
- 王防震陈张海柏利慧黄少华沈学础
- 关键词：CDSERAMAN
- 离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质被引量：1
- 2005年
- 低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表现出良好的一维输运特性.
- 黄少华陈张海柏利慧王防震沈学础
- 关键词：离子注入线性偏振
- 飞秒激光刻蚀GaAs表面所形成纳米结构的研究
- ＜正＞本文采用飞秒激光脉冲,在 SF6,N2,空气,低真空等不同的刻蚀氛围下,刻蚀 GaAs（100） 表面,在 GaAS 表面得到比较好的纳米结构,可以产生许多均一的类似小圆柱形的尖峰,尺寸在几十个纳米;不同刻蚀生长氛...
- 李汐朱锦涛黄少华陆昉
- 关键词：表面形貌
- 文献传递
- CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究
- 2005年
- 在变温条件下 ,对CdSe ZnSe超薄层中的两类量子岛 (点 )进行了荧光光谱研究 .在低温时 ,这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程 ,而随着温度的升高 ,局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理 .研究还发现 ,小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇 ,它们激子的光学特性之间存在一定的差异 。
- 王防震陈张海柳毅黄少华柏利慧沈学础
- 关键词：激子量子隧穿荧光光谱纳米团簇
