黄占超
- 作品数：22 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程理学更多>>
- 用于半导体激光器后腔面的高反射率膜系及其镀膜用夹具
- 本发明提供一种半导体激光器后腔面高反射率膜系结构及其腔面镀膜用夹具。其特征在於高反射率膜系由相位匹配的氧化物介质膜1、金属膜2和氧化物保护膜3组成。相位匹配氧化物介质膜和氧化物保护膜为Al<Sub>2</Sub>O<Su...
- 吴惠桢黄占超劳燕锋沈勤我齐鸣封松林
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- 1.31μm垂直腔面发射激光器材料及其物理特性研究
- 本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技...
- 吴惠桢黄占超劳燕锋
- 关键词：GAAS/ALGAAS分布布拉格反射镜INASP/INGAASP垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 直接键合微腔结构的光谱特性
- 2006年
- 采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了键合效应对微腔结构光学特性的影响.结果表明:在较低退火温度下(如580℃)进行直接键合有利于高光学性能微腔结构的制备,而提高退火温度则需要在键合结构中加入缺陷阻挡层以提高键合质量.
- 劳燕锋吴惠桢黄占超刘成曹萌
- 关键词：晶片直接键合反射光谱
- 氧化锂真空碳化钙热还原提取锂的研究被引量：6
- 2001年
- 研究了以碳酸锂为原料 ,在低压以及温度为 12 73K～ 142 3K范围内用碳化钙为还原剂还原氧化锂以提取金属锂的试验。试验考察了温度和时间对锂提取率的影响 ,得出 :从还原速度、产率、锂的纯度等指标来看 ,碳化钙是一种较优越的还原剂。
- 林智群黄占超杨斌戴永年
- 关键词：碳化钙真空热还原炼锂氧化锂
- 用于Ⅲ-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法
- 本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是...
- 谢正生吴惠桢劳燕锋刘成曹萌黄占超
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- 气态源分子束外延1.3μm VCSEL器件结构被引量：3
- 2005年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构。通过湿法刻蚀和聚酰亚胺隔离工艺制作出了1.3μmVCSEL,器件在室温下可连续单模激射,阈值电流约为4mA。实验测得的VCSEL结构反射光谱包括高反射带和腔模等参数与传递矩阵法拟合的反射光谱相符合;边发射电致发光谱的增益峰与腔模位置一致。
- 刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌
- 关键词：垂直腔面发射激光器气态源分子束外延光电特性
- 1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性
- 2005年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500～620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度,其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍.
- 吴惠桢黄占超劳燕锋
- 关键词：键合
- 金属锑真空提纯及高纯锑的制备研究
- 该文提出了采用真空蒸馏的方法来制备4N以上的金属锑,并从理论上进行分析,通过实验进行研究得到了制取4N锑的工艺条件.按照高纯锑的标准分析了原料中十四中杂质元素的含量.首先进行了真空蒸馏热力学分析,根据各种杂质与锑的沸点不...
- 黄占超
- 关键词：锑区域熔炼
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- 一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法
- 本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子...
- 吴惠桢曹萌劳燕锋黄占超刘成谢正生
- 文献传递
- PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构被引量：1
- 2006年
- 用分子束外延技术在BaF_2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构．结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0．4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构；降低Se/PbSe束流比至0．2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构；当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫．在BaF_2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃．
- 徐天宁吴惠桢斯剑霄曹春芳黄占超
- 关键词：无机非金属材料分子束外延应变弛豫
