鲍德松
- 作品数：64 被引量：139H指数：8
- 供职机构：浙江大学物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省高校实验室工作研究立项项目浙江省教育厅科研计划更多>>
- 相关领域：理学文化科学电子电信一般工业技术更多>>
- 研究型物理实验以内容为中心的站队式教学方法探索被引量：2
- 2012年
- 提出了研究型物理实验课程的以内容为中心的站队式教学方法,介绍了该方法给本科实验教学带来的可行性效益.重点在4个方面进行了建设和探索:站队式教学模型、类别化课程内容、层次化教师队伍和自主性选课系统.
- 陈水桥李海洋陈洪山陈红雨鲍德松
- 关键词：教学方法课程建设
- 俄歇角分布对表面分析的应用和问题
- 刘古鲍世宁鲍德松
- 关键词：角分布俄歇电子谱法
- 表面势垒对俄歇电子极角分布的影响
- 1991年
- 本文根据电子在固体与真空界面的折射反射效应及立体角元的变化,讨论了表面势垒对俄歇电子极角分布的影响,修正了俄歇电子的极角分布公式,首次从理论上证明了均匀体样品俄歇电子的极角分布基本符合cosθ规律而和样品是单晶或多晶及和俄歇电子的能量大小无很大关系这一实验现象。
- 季振国鲍德松刘古张训生
- 关键词：俄歇电子表面势垒角分布单晶材料电子散射表面偏析
- 基于数字锁相放大器的电阻噪声特性研究被引量：5
- 2021年
- 基于SR830型锁相放大器,设计了以LabVIEW软件实时通信测量的电阻噪声特性研究实验,验证了热噪声与闪烁噪声的主要特征,评估了实验系统的本底噪声,并从信噪比特点分析了适合测定散弹噪声的实验条件,提供了降低电阻噪声的方法.结合RC低通滤波原理对1~4阶低通滤波器的滤波带宽、带边斜率和阶跃响应等特性做了分析,讨论了2种调节动态储备的方法.通过电阻噪声实验探究了时间常量、陡降和动态储备对测量噪声的影响,提供了优化测量参量的思路.
- 郑远姚星星郭红丽鲍德松王业伍
- 关键词：锁相放大电阻噪声LABVIEW
- 半导体制冷演示实验被引量：3
- 2002年
- 研制了可用于物理教学演示的半导体制冷演示仪 ,半导体制冷器是纯固体制冷源 ,既能制冷又能制热 ,体积小 ,重量轻 ,使用方便 ,无污染 ,有广泛的应用前景 。
- 华诤秦松孙伟鹏慈旸杨知鲍德松张训生
- 关键词：半导体制冷物理教学半导体制冷器
- 非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究
- 1989年
- 本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_(100-x)Ni_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi_3价带谱中出现的双峰进行了讨论。
- 吴柏枚陈兆甲鲍世宁鲍德松季振国刘古
- 关键词：非晶态合金晶化过程能谱
- Ar^+离子轰击对GoAs(100)表面的影响
- 1993年
- 采用X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)着重研究了GaAs(100)表面由于Ar^+离子轰击而导致的功函数变化及Ga3d,As3d能级变化。从中仔细分析由于Ar^+离子轰击n—GaAs(100)表面的能带弯曲,结果表明,不同能量Ar^+离子轰击后,Ga3d及As3d的位移峰结合能变化可达0.3eV,同时功函数也变化相同的值。而且在不同温度下尽管采用同一能量Ar^+离子轰击。GaAs(100)表面功函数也有明显的差别。但是,在低温下(—120℃左右),采用不同能量的Ar^+离子轰击GaAs(100)表面,GaAs(100)表面仍有相同的功函数。
- 鲍德松季振国张训生董峰
- 关键词：氩离子轰击
- 硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究
- 1989年
- 随着半导体技术的不断发展,新的工艺和技术不断出现,与此同时对新工艺及其结果有足够的认识也是十分必要的。本实验就是基于这一目的,对硅器件工艺中最新采用的液相钝化膜作详细分析,为了对其结构有足够深入的了解,我们同时分析了氧离子注入氧化膜,自然氧化膜,真空室制备的氧化膜,热生长氧化膜及离子溅射氧化膜,以便比较其结构上之差别。结果发现,无论是哪一种氧化膜,其Si—SiO_2界面层都不是单纯的SiO_2,而是SiOx(1≤x≤2)。除液相钝化膜外,其他各种界面过渡层均含Si(e^-O_3)及O_2—Si结构,而且热生长氧化膜和离子溅射氧化膜的过渡层中还存在Si—Si_4原子团。
- 鲍德松刘古季振国鲍世宁
- 关键词：硅钝化膜液相
- 瓶颈开口角对二维颗粒流的影响被引量：5
- 2007年
- 实验研究了平面传送带上颗粒流的特性,主要包括传送带出口处开口宽度以及瓶颈开口角度对颗粒流的影响.实验结果发现,改变瓶颈开口角度θ,当θ大于15°时,颗粒流量Q随着cosθ呈线性变化.同时,颗粒流量Q与传送带速度v以及开口大小R也密切相关,而在θ小于15°时,颗粒流量Q基本不随开口角度变化.
- 鲍德松雷哲敏胡国琦张训生唐孝威
- 关键词：颗粒物质
- NO在Cu(110)表面吸附的角分辨光电子能谱
- 1993年
- 本文用角分辨光电子能谱(ARUPS)(HeⅡ),低能电子衍射(LEED)和俄歇电子能谱AES等方法研究了NO在Cu(110)表面吸附的光电子能谱。测量结果表明:在150K左右,NO在Cu(11O)表面是一个比较复杂的分解吸附过程。随着暴露量的不同,在Cu(110)表面形成的分解吸附分子是不同的。在NO5 L暴露量时,主要形成O原子和N_2O分子吸附。吸附的LEED图形仍然是(1×1)。
- 张训生董峰鲍德松杜志强
- 关键词：氧化氮铜光电子谱法
