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颉校

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京金自天正智能控制股份有限公司更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低开关损耗
  • 1篇电力半导体
  • 1篇电力半导体器...
  • 1篇电流
  • 1篇电流型逆变器
  • 1篇电路断路器
  • 1篇断路
  • 1篇断路器
  • 1篇损耗
  • 1篇逆变
  • 1篇逆变器
  • 1篇开关损耗
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇半导体元件
  • 1篇IGCT
  • 1篇电流型

机构

  • 1篇北京金自天正...

作者

  • 1篇尤金霜
  • 1篇颉校
  • 1篇译项

传媒

  • 1篇电力电子

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
IGCT的应用特性
2006年
最近几年里,由于IGCT具有较低的导通和开关损耗,它们已经成为中等电压电平用的电力半导体器件。两种损耗之间的折衷可以通过各种寿命控制技术调整。对这些器件日益增长的需求要求标准类型的元件来满足如静态电路断路器(低通态)、中压驱动(低开关损耗)这样的应用。另外,牵引(低工作温度)和电流型逆变器(对称阻断)方面的应用通常对半导体元件有相矛盾的要求。本文重点介绍用少量晶片和门极单元,同一系列的电力器件将如何满足这样的需求。解释了IGCT和IGBT之间的一些重要差异并讨论了器件发展的前景。
尤金霜译项颉校
关键词：IGCT电力半导体器件低开关损耗半导体元件电流型逆变器电路断路器
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