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一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法: 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得...; 吴洁君王泽人于彤军朱星宇赵起悦韩彤沈波

HVPE异质外延GaN的函数控制方法研究: 2012年; 提出新的生长控制方式"函数控制方法"并将其应用到HVPE异质外延GaN中。函数控制方法是指外延生长参数随时间按照特定函数变化来实现生长控制的方式。采用函数控制方法设计了两个实验方案,解决了HVPE获得GaN衬底面临的两个主要问题。1)异质外延高质量无裂纹GaN厚膜的实验方案:生长条件按照渐变函数变化保证了外延材料质量的稳定性和应力释放的均匀性,生长条件按照周期函数变化将材料的厚膜外延问题转化为薄膜外延问题。2)GaN厚膜的自分离实验方案:生长条件按照跃变函数变化实现了在外延材料特定位置形成弱连接层,生长条件按照渐变函数变化实现了弱连接层两侧出现较大应力差,这种应力差在生长结束后的降温过程中得到进一步放大,进而实现外延材料在弱连接层处的自分离。结合以上两个实验方案,成功获得无色透明表面平整光滑1 mm厚的高质量GaN衬底,证明了函数控制方法的有效性。借助于生长参数规律化的函数变化,函数控制方法建立了材料性质和数学函数之间的对应和联系,丰富和发展了材料的生长控制方式。; 杜彦浩罗伟科吴洁君John Goldsmith韩彤杨志坚于彤军张国义; 关键词：GAN HVPE

一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法: 本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有...; 吴洁君赵起悦于彤军王泽人韩彤沈波

一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法: 本发明公布了一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及工艺，涉及半导体制造技术。生长装置包括：加热系统、红外测温系统、籽晶、生长坩埚、坩埚隔板和双层嵌套式坩埚；加热系统置于最外侧；坩埚底部与顶部具有温度差；坩埚置于保温材...; 吴洁君朱星宇程玉田李孟达韩彤于彤军张国义

一种利用PVT法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法: 本发明公布了一种利用物理气相输运法在SiC籽晶上异质生长AlN的方法，设计包含蒸气饱和微腔的坩埚结构，微腔内部可抽真空和充气；在AlN生长初期，通过采用蒸气饱和微腔抑制初期SiC的正向分解升华并实现AlN的生长，通过留有...; 吴洁君赵起悦于彤军王泽人韩彤沈波; 文献传递

一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法: 本发明公布了一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法，包括籽晶，坩埚，氮化铝晶体生长炉，机械抛光及化学清洗设备和专用加热加压装置；对坩埚盖表面和籽晶背面进行预处理，籽晶放置在坩埚盖上；将坩埚盖在下放置到加热加压装置...; 吴洁君朱星宇于彤军赵起悦韩彤沈波

制备用于生长氮化铝单晶的碳化钽坩埚的装置及制备方法: 本发明公布了一种制备生长氮化铝单晶所用碳化钽坩埚及制备新方法，包括：高纯碳化钽粉、粘结剂、包套模具、液体压力介质、密闭高压容器、坩埚、车床及高温加热炉；将高纯碳化钽粉与粘结剂混合均匀后烘干，装入包套模具材料中；再装入倒满...; 吴洁君朱星宇赵起悦李孟达韩彤于彤军张国义; 文献传递

一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及方法: 本发明公布了一种无需籽晶粘接技术的氮化铝单晶生长装置及工艺，涉及半导体制造技术。生长装置包括：加热系统、红外测温系统、籽晶、生长坩埚、坩埚隔板和双层嵌套式坩埚；加热系统置于最外侧；坩埚底部与顶部具有温度差；坩埚置于保温材...; 吴洁君朱星宇程玉田李孟达韩彤于彤军张国义; 文献传递

一种带空腔的III-V族氮化物复合衬底的制备方法: 本发明公开了一种带空腔的III-V族氮化物复合衬底的制备方法。本发明在衬底上预生长III-V族氮化物薄膜层，采用刻蚀的方法形成沟道，再以填充介质填充，然后生长III-V族氮化物厚膜层覆盖整个表面，最后采用腐蚀溶液去除填充...; 于彤军程玉田吴洁君韩彤张国义; 文献传递

一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法: 本发明公布了一种利用还原气体提高AlN单晶纯度的方法，采用轻掺活性气氛技术，以在高温下具有较强还原性的活性气体作为气氛；在物理气相输运中的粉体提纯和单晶生长阶段，分步通入微量的活性气体进行轻掺；在升温粉体提纯阶段和高温单...; 于彤军赵起悦吴洁君朱星宇李孟达韩彤沈波; 文献传递

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韩彤