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闫发旺

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：石家庄师范专科学校物理系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇结合能
  • 1篇电子能态
  • 1篇双量子阱
  • 1篇能态
  • 1篇量子
  • 1篇量子效应
  • 1篇类氢杂质
  • 1篇Δ势
  • 1篇半导体

机构

  • 2篇河北师范大学
  • 2篇石家庄师范专...

作者

  • 2篇闫发旺
  • 2篇郝剑红
  • 2篇李有成

传媒

  • 1篇河北师范大学...
  • 1篇河北科技大学...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
双抛量子阱中的类似“δ”势结构被引量：1
1998年
在双抛量子阱(Double Parabolic Quantum Well)中令势垒厚L_b=0,可得到类似"δ"势结构,在此基础上计算了"δ"势阱中的电子能级和类氢杂质的结合能,分析了"δ"垫垒的变化对能量和结合能的影响。
郝剑红闫发旺李有成
关键词：量子效应电子能态结合能双量子阱
全文增补中
双抛量子阱中类氢杂质的结合能
1999年
以ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ为例，在有效质量的近似下，讨论了双抛量子阱中类氢杂质的结合能．结果表明：（１）双方量子阱中类氢杂质的结合能是双抛阱中杂质结合能的１．３倍；（２）无论杂质在阱中还是垒中，不仅垒宽和阱宽影响其结合能。
郝剑红闫发旺李有成
关键词：类氢杂质结合能半导体
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共1页<1>
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