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郭帅

作品数:9 被引量:11H指数:3
供职机构:山东皇明太阳能集团有限公司更多>>
相关领域:机械工程一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇机械工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇动力工程及工...

主题

  • 4篇集热
  • 4篇集热管
  • 4篇溅射
  • 4篇反应溅射
  • 2篇电压
  • 2篇真空集热管
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  • 2篇热管
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  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
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  • 1篇元件
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇直流磁控

机构

  • 9篇山东皇明太阳...
  • 2篇玻璃有限公司
  • 1篇太阳能股份有...

作者

  • 9篇郭帅
  • 8篇池华敬
  • 8篇章其初
  • 8篇陈革
  • 6篇王双
  • 5篇周旭
  • 3篇苗建朋
  • 3篇熊凯
  • 1篇徐秀红
  • 1篇孟秀清
  • 1篇刘洪金
  • 1篇许丽

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 2篇太阳能学报
  • 1篇真空
  • 1篇真空与低温

年份

  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性被引量:3
2013年
在制备不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷集热管的真空磁控溅射镀膜线上,采用PCV25型压电陶瓷阀作为反应气体氮气N2流量输出的驱动元件,实现反应溅射AlN反馈控制。研究了不同环境温度下压电阀偏置电压Vo对N2输出流量Q的影响。实验研究表明,在Vo先增加再减少的过程中,Q相应变化呈现迟滞特性。同时,该迟滞特性受压电阀工作的环境温度影响,环境温度越低迟滞特性越明显。例如与40℃相比,当环境温度为25℃时,压电阀的阈值电压小,饱和电压大,有效工作范围宽,且在压电阀有效工作范围内,N2输出流量Q随偏置电压Vo变化速率小。结合压电陶瓷阀的特性,优化设置反应溅射反馈控制参数,在高于30kW的溅射功率下,实现反应溅射AlN工艺稳定,制备厚度约为70 nm的AlN薄膜在可见光和太阳光范围内吸收几乎为零。
刘洪金郭帅池华敬焦存柱周旭王双陈革章其初
关键词:温度特性
真空太阳集热管中高温半球发射比测量仪
本实用新型公开了一种真空太阳集热管中高温半球发射比测量仪,包括测量装置、测量自动控制仪、数据采集及处理系统,所述测量装置包括冷壁水套、加热器、测温元件,所述加热器设于集热管内,加热器与电源连接,加热器上设有测温元件,集热...
周旭郭帅苗建朋池华敬陈革章其初
文献传递
全玻璃真空集热管真空品质试验装置被引量:1
2011年
研制了一台全玻璃真空集热管真空品质试验装置,采用集热管内置加热器,恒温加热至350℃持续48h,测量集热管尾管处吸气剂镜面消失率。同时该装置还可测量集热管恒温加热功率随烘烤时间变化数据,即单位时间整支集热管的热量损耗随时间变化数据。该装置由《集热管测试架》、《仪表箱》和《PC计算机》二三部分组成。我们采用VB和组态王软件编写了数据采集和处理程序,并成功运行,实现了数据采集和处理的自动化。该装置恒温加热温度可在80℃~500℃之间任意设定,恒温350℃时温度波动范围±1℃。该装置已成功用于全玻璃SS—AlN金属陶瓷真空集热管真空品质试验。
周旭郭帅王双苗建朋陈革章其初
关键词:真空集热管
量热法SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置
2013年
采用稳态量热法,研制了一台真空集热管内管外表面SS-AlN太阳吸收涂层半球发射比测量装置。集热管内置三段式加热器,采用直流电源给加热器供电,测量在恒定温度时主加热器的加热功率,计算得到该温度下吸收涂层的半球发射比。多次测量同一支SS-AlN集热管的选择性吸收涂层的80℃半球发射比εss-AlN(80℃)=0.0596±0.0004。另外,多次测量同一支Cu真空管的Cu涂层的半球发射比εCu(80℃)=0.0217±0.0002。采用该装置测量真空集热管的吸收涂层半球发射比,测量精度高。
周旭郭帅王双池华敬陈革章其初
关键词:全玻璃真空集热管
直流反应溅射沉积Al_2O_3薄膜及其在SS-AlN金属陶瓷太阳吸收涂层的应用被引量:3
2012年
在沉积不锈钢-氮化铝(SS-AlN)金属陶瓷太阳吸收集热管的磁控溅射三靶镀膜机上,安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,实现反应溅射Al2O3稳定反馈控制。采用国产直流电源在Al靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的Al2O3薄膜。溅射功率在14kW时,反应溅射沉积Al2O3的靶电压波动可长时间稳定控制在±3 V范围内,沉积速率为5.4 nm/(min·kW),约为Al靶在无反应气体溅射下沉积Al薄膜速率的74%。采用Al2O3代替AlN作为减反射层,应用到SS-AlN太阳选择性吸收涂层中,进一步提高了复合膜的太阳光学性能,太阳吸收比由AlN作为减反射层的0.956提高到0.965,红外发射比不变,仍为0.044。
池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初
关键词:反应溅射闭环控制AL2O3薄膜
闭环控制靶电压直流磁控反应溅射沉积AlN薄膜
2013年
在原磁控溅射三靶镀膜机上安装了UPS03反应溅射闭环控制单元,替代原有的级差法控制流量计改变反应气体流量的方法,实现反应溅射AlN反馈控制。该控制单元由UPC03型控制器和PCV03型压电陶瓷阀组成。控制器实时采集直流电源的Al靶电压信号,与设定电压进行比较计算处理,输出电压控制信号至压电陶瓷阀,调节输出N2流量,实现Al靶电压稳定控制。在靶表面处于过渡态下,成功制备了吸收几乎为零的AlN薄膜。溅射功率14kW,反应溅射沉积AlN的靶电压波动可长时间稳定控制在±2V范围内,沉积速率高达4.5nm/(min·kW),约为Al靶在无反应气体溅射下沉积Al薄膜速率的80%。溅射沉积的AlN薄膜作为减反射层应用到SS-AlN太阳选择性吸收涂层中,使得太阳吸收比高达0.956。
池华敬郭帅熊凯王双陈革章其初
关键词:反应溅射闭环控制ALN薄膜
全玻璃真空太阳集热管热性能测试装置
本实用新型公开了一种全玻璃真空太阳集热管热性能测试装置,它包括集热管支撑架上铺设漫反射平板,待测全玻璃真空太阳集热管放置在支撑架上,集热管内管中部设有集热管内测温元件,集热管开口处设有保温帽,集热管内测温元件的导线穿过保...
周旭郭帅徐秀红池华敬孟秀清苗建朋
文献传递
采用真空磁控反应溅射和热水氧化法制备AlN_xO_y增透膜被引量:4
2011年
在3.2mm厚的低铁玻璃衬底上采用金属Al靶在溅射气体Ar和反应气体N2的混合气体中,真空磁控反应溅射沉积半透明的Al-AlN金属陶瓷薄膜。再将沉积该薄膜的玻璃试样浸入沸腾的去离子水中,经一定时间氧化后,制备成表面粗糙的AlN和Al2O3的陶瓷混合物增透膜AlNxOy。在3.2 mm厚的低铁玻璃上,溅射沉积厚度为120 nm的Al-AlN金属陶瓷薄膜,沸水氧化8 min,制备的单面增透膜AlNxOy试样的太阳透射比Te达93.5%,可见光透射比Tv达95.2%。制备的双面增透膜AlNxOy试样的Te,Tv进一步提高,Te高达95.6%,与未镀膜玻璃衬底的90.4%相比,增加了5.2%;Tv高达97.0%,与玻璃衬底的91.6%相比,增加了5.4%。
池华敬熊凯郭帅许丽王双陈革章其初
关键词:增透膜反应溅射金属陶瓷ALNAL2O3
用于气体流量控制的压电陶瓷阀的温度特性
2012年
采用PEV-1型压电陶瓷阀作为溅射气体Ar流量输出的驱动元件,用于真空磁控溅射镀膜中溅射气体恒压力控制。应用过程中发现压电陶瓷阀本身的迟滞特性和温度特性对气体输出流量有较大影响。试验分析得到压电陶瓷阀偏振电压变化过程中,气体输出流量的迟滞曲线。当压电陶瓷阀环境温度升高时,该迟滞特性会减弱,气体输出流量随偏振电压变化速率变大。
刘洪金池华敬郭帅陈革章其初
关键词:压电陶瓷温度特性
共1页<1>
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