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郝江波

作品数:5 被引量:15H指数:2
供职机构:武汉理工大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇硅薄膜
  • 3篇非晶硅
  • 3篇非晶硅薄膜
  • 2篇电池
  • 2篇PECVD法
  • 2篇PECVD法...
  • 1篇电场
  • 1篇电极
  • 1篇电极材料
  • 1篇电极处理
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇折射率
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间
  • 1篇氢化非晶硅

机构

  • 5篇武汉理工大学
  • 1篇景德镇陶瓷学...

作者

  • 5篇郝江波
  • 3篇夏冬林
  • 3篇赵修建
  • 1篇王慧芳
  • 1篇何鑫
  • 1篇沈峰
  • 1篇李蔚
  • 1篇潘震
  • 1篇赵青南
  • 1篇杨晟
  • 1篇陈云霞
  • 1篇韩建军
  • 1篇倪佳苗
  • 1篇周学东

传媒

  • 2篇武汉理工大学...
  • 1篇陶瓷学报

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
退火时间对电场辅助铝诱导晶化非晶硅薄膜的影响被引量:1
2007年
以氢气稀释的硅烷(SiH4)为气源,利用PECVD方法在普通玻璃基片上生长a-Si薄膜。采用外加横向电场辅助的金属铝诱导晶化的方法,在氮气气氛条件下对a—Si薄膜样品进行快速退火制备poly-Si薄膜。采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜等测试手段研究了不同的退火时间对a-Si薄膜晶相结构、晶化率和表面形貌的影响。实验结果表明,电场辅助的铝诱导a-Si薄膜晶化效果较无外场作用显著加强,并且随着退火时间的延长,非晶硅薄膜的晶化效果增强。
夏冬林郝江波姜宏赵修建
关键词:太阳电池非晶硅薄膜多晶硅薄膜铝诱导晶化外加电场
PECVD法制备氢化非晶硅薄膜及其金属诱导晶化研究
单晶硅和多晶硅太阳能电池存在成本较高的问题,因而硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点。硅薄膜太阳能电池相对于单晶硅和多晶硅太阳能电池而言,具有所消耗硅材料少,成本低的特点,尤其是廉价衬底的引入,使硅基薄膜...
郝江波
关键词:非晶硅金属诱导非晶硅薄膜
文献传递
硅薄膜太阳能电池的关键制备技术
赵修建夏冬林赵青南韩建军周学东杨晟郝江波沈峰李蔚王慧芳倪佳苗潘震
该课题属武汉市科技攻关项目。该项目是针对中国面临的能源危机和环境保护的热门研究领域,深入研究在普通平板玻璃上制备a-Si、poly-Si薄膜太阳能电池。该项目的研究对发展新的环境协调型材料和生态建筑材料、保护环境和实现可...
关键词:
关键词:建筑材料
TiO_2基太阳能电池研究进展被引量:5
2007年
对 TiO_2基太阳能电池研究发展进行了阐述。首先简单介绍了市场上各种太阳能电池电极材料的种类以及各自的优缺点。TiO_2基太阳能电池根据结构差异可分为:有机染料敏化,窄禁带无机半导体敏化以及三维结构电池。随后,重点介绍了有机染料敏化纳晶多孔 TiO_2太阳能电池以及在染料、电极处理上的主要工作,另外,对未来的工作提出了展望。
陈云霞郝江波何鑫
关键词:太阳能电池TIO2染料敏化电极材料电极处理
非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征被引量:8
2007年
在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500 nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学禁带宽度在1.60—1.78 eV之间变化。
郝江波夏冬林姜宏赵修建
关键词:非晶硅薄膜折射率
共1页<1>
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