郑光锋
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：太原科技大学更多>>
- 发文基金：山西省青年科技研究基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 热处理温度和溅射气压对铜薄膜结构和性能影响的研究被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射镀膜法,在不同溅射气压、不同热处理温度下制备了铜薄膜,并利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了溅射气压和热处理温度对铜薄膜结构和性能的影响。结果表明:热处理前铜薄膜的晶粒尺寸较小且大小分布不均;随着热处理温度的提高,薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,表面更加平坦化,而晶粒之间的缝隙呈现先增大再减小后增大的趋势,在400℃时晶粒排列最紧密,表面最平坦;随着溅射气压的增高,铜(111)峰值呈现先增大后减小的趋势,当溅射气压为1.0Pa时铜的抗电迁移性最强。
- 蒋立文宋建丽李永堂杜诗文郑光锋
- 关键词：铜薄膜磁控溅射扫描电镜X射线衍射
- 集成电路中Ta扩散阻挡层对铜布线电迁移性能的影响
- 2013年
- 采用磁控溅射法在硅基材料上分别制备了Cu薄膜和Cu/Ta薄膜,用X射线衍射仪(XRD)研究两种样品在不同温度热处理下的织构情况和择优取向。结果表明,加Ta薄膜的样品可显著提高Cu(111)的衍射峰强度,说明Ta薄膜层能有效增强Cu薄膜层的抗电迁移性能。加Ta层的样品在一定温度下退火后同样也能增进Cu薄膜的抗电迁移性能。
- 郑光锋付建华李永堂杜诗文蒋立文
- 关键词：磁控溅射X射线衍射
- Cu/low-k介质化学机械抛光中的表面接触分析
- 随着超大规模集成电路导线线宽尺度向32nm及以下发展，将导致芯片的运行速度会随着集成度的提高而变慢。为了继续提高芯片的运行速度，唯一方法是减少导线之间的电容。为了减少导线之间的电容，二氧化硅介电质必须被低k介电质或超低k...
- 郑光锋
- 关键词：扩散阻挡层
