邢志刚
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法
- 本发明涉及一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法，包括：使用常规的两步生长法，在衬底上外延生长GaN缓冲层；在此GaN缓冲层上，使用常规的外延方法，在600～1200℃淀积厚度为1～10nm、非均匀地分布有孔洞的SiN膜...
- 陈弘郭丽伟王晶汪洋邢志刚周均铭
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- GaN基发光二极管研究进展被引量：5
- 2009年
- GaN基发光二极管(LED)作为目前固态照明和显示等应用中最核心的器件,在完全发挥材料性能的道路上还存在着一些困难。针对蓝光LED内量子效率低和白光LED应用中缺乏简易制备方法的现状,本研究组做出了有意义的富有创新性的工作:提出的宽窄耦合量子阱结构的LED使得蓝光LED的内量子效率得到了很大的提高;通过生长一个用于调节量子阱中的应变和局域化的InGaN插入层,制备出了同一发光层出射白光的单芯片白光LED。
- 邢志刚贾海强王文新陈弘
- 关键词：发光二极管氮化镓晶体生长
- 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；...
- 陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
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- 使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
- 2010年
- 在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251Ω/□的薄层电阻.
- 丁国建郭丽伟邢志刚陈耀徐培强贾海强周均铭陈弘
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- 一种白光发光二极管及其制备方法
- 本发明涉及到一种白光发光二极管，其包括一背出光的发光二极管，及在其衬底的背面上的荧光粉层，和其外部封装用的树脂壳，所述的背出光的发光二极管包括一红宝石衬底，其上依次为GaN缓冲层、n型GaN层、发光层、p型GaN层，以及...
- 周均铭陈弘郭丽伟邢志刚王晓辉汪洋
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- 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1<Sup>1</Sup>00]或[11<Sup>2</Sup>0]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或...
- 陈弘王晶贾海强郭丽伟周均铭李卫汪洋邢志刚
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- 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法
- 本发明公开了一种在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法，该方法通过采用湿法腐蚀技术获得特定图形结构的蓝宝石衬底，然后在其上采用搭桥外延生长技术沉积GaN搭桥外延层，并沉积所需的器件结构层。本发明克服现有的E...
- 郭丽伟贾海强王晶邢志刚汪洋陈弘周均铭
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- 在蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法
- 本发明公开了一种在蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法，该方法通过采用湿法腐蚀技术获得特定图形结构的蓝宝石衬底，然后在其上采用搭桥外延生长技术沉积GaN搭桥外延层，并沉积所需的器件结构层。本发明克服现有的ELOG...
- 郭丽伟贾海强王晶邢志刚汪洋陈弘周均铭
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- AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性被引量：7
- 2007年
- 对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量,测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×104cm2.V-1.s-1和9.3×1012cm-2,且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变,变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下,观察到量子霍尔效应,Shubnikov-de Haas(SdH)振荡在磁场约为3T时出现,证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析,推出量子散射时间为0.23ps,比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长,说明引入AlN层可以有效减小合金散射,进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.
- 周忠堂郭丽伟邢志刚丁国建谭长林吕力刘建刘新宇贾海强陈弘周均铭
- 关键词：二维电子气高电子迁移率晶体管
- 一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法
- 本发明涉及一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法，包括：使用常规的两步生长法，在衬底上外延生长GaN缓冲层；在此GaN缓冲层上，使用常规的外延方法，在600～1200℃淀积厚度为1～10nm、非均匀地分布有孔洞的SiN膜...
- 陈弘郭丽伟王晶汪洋邢志刚周均铭
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