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边惠

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:温州大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低K介质
  • 1篇低介电常数
  • 1篇多孔薄膜
  • 1篇散射
  • 1篇温度效应
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇纳米硅
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇干凝胶
  • 1篇SIO2

机构

  • 2篇温州大学
  • 1篇教育部
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇万里
  • 2篇边惠
  • 1篇毕大炜
  • 1篇公祥南
  • 1篇唐东升
  • 1篇张有为

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国科学:物...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
表面粗糙化来提高SiO2中纳米硅的拉曼强度
2011年
本文采用表面粗糙化的方法,在拉曼背散射配置下观察到SiO2中注入硅离子形成纳米硅的拉曼散射特征峰.运用声子限制模型对纳米硅的特征峰进行曲线拟合,得到纳米硅的平均晶粒尺寸是2.6nm.这个结果与透射电子显微镜直接观测的纳米硅尺寸非常符合.以上研究表明,表面粗糙化是一个非常有效的方法来提高拉曼散射强度,从而方便地研究纳米硅的拉曼特征,不会对纳米硅的物理性质发生影响.
张有为毕大炜公祥南边惠万里唐东升
关键词:纳米硅拉曼散射
低k介质多孔SiO_2干凝胶薄膜的温度效应研究
2013年
采用正硅酸乙酯(TEOS)作为Si源,利用溶胶–凝胶旋涂法制备了多孔SiO2干凝胶薄膜,测试分析了200,300和400℃退火后样品的不同特性。研究了退火温度对多孔SiO2干凝胶低k薄膜的化学性质、物理性质和电学性能的影响。结果表明在400℃的退火温度下所制备的薄膜具有最佳性能:其厚度和折射率均达到最小值,分别为156 nm和1.31;孔隙度和均方根粗糙度均达到最大值,分别为33%和2.01 mm,并获得最低的相对介电常数(k=2)和最小的泄漏电流。
边惠万里
关键词:低介电常数干凝胶温度效应多孔薄膜泄漏电流
共1页<1>
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