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路程

作品数：32 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇中文专利

领域

  • 8篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇存储器
  • 8篇纳米
  • 6篇电极
  • 6篇金属
  • 4篇低功耗
  • 4篇电路
  • 4篇隧道结
  • 4篇铁磁
  • 4篇降低功耗
  • 4篇功耗
  • 4篇光刻
  • 4篇磁隧道结
  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇牺牲层
  • 3篇纳米级
  • 3篇纳米晶
  • 3篇非挥发性存储...
  • 2篇单电子器件
  • 2篇低电平
  • 2篇第三电极

机构

  • 32篇中国科学院微...

作者

  • 32篇路程
  • 29篇刘明
  • 16篇吕杭炳
  • 15篇张培文
  • 12篇谢常青
  • 11篇刘宇
  • 11篇刘琦
  • 10篇赵盛杰
  • 9篇张凯平
  • 7篇胡媛
  • 7篇罗庆
  • 6篇龙世兵
  • 5篇李泠
  • 5篇杨洪璋
  • 5篇孙海涛
  • 4篇牛洁斌
  • 4篇许晓欣
  • 3篇田继红
  • 3篇李友
  • 3篇李维龙

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2009
共 32 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
三态自旋电子器件、存储单元、存储阵列及读写电路
本公开提供了一种三态自旋电子器件、存储单元、阵列及读写电路，其三态自旋电子器件，自下而上包括：底电极、磁隧道结和顶电极；磁隧道结包括：自旋轨道耦合层、铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层、三个局域磁畴壁钉扎中心和磁畴壁成核...
林淮邢国忠吴祖恒刘龙王迪路程张培文谢常青李泠刘明
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超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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氮化硅湿法腐蚀方法
本发明是关于一种氮化硅湿法腐蚀方法，包括：A.提供一氮化硅层，并通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层；B.采用电子束蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层；C.剥离上述的光刻胶层，在氮化硅层上形成具有二次图形的金属...
陈晨贾锐朱晨昕李维龙李昊峰王琴刘明田继红路程
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一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...
刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青
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一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法
本发明公开了一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法，包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金...
孙海涛杨洪璋路程刘琦吕杭炳龙世兵谢常青刘明
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对称型存储单元及BNN电路
本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中，对称型存储单元包括：第一互补结构和第二互补结构，第二互补结构，与所述第一互补结构在第一方向上对称相连；其中，所述第一互补结构包括：第一控制晶体管，用于与所述第二互补结构相...
罗庆陈冰吕杭炳刘明路程
一种阻变存储器及其制作方法
本发明提供的一种阻变存储器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底的生长面包括多个台体；在衬底的生长面上形成下电极薄膜，下电极薄膜对应台体的顶面的区域高于多个台体之间的凹槽区域；在下电极薄膜背离衬底一侧形成绝缘层，绝缘层对应...
刘宇刘明胡媛赵盛杰路程张培文张凯平
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对称型存储单元及BNN电路
本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中，对称型存储单元包括：第一互补结构和第二互补结构，第二互补结构，与所述第一互补结构在第一方向上对称相连；其中，所述第一互补结构包括：第一控制晶体管，用于与所述第二互补结构相...
罗庆陈冰吕杭炳刘明路程
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