2024年8月18日
星期日
|
欢迎来到维普•公共文化服务平台
登录
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
贺园园
作品数:
7
被引量:1
H指数:1
供职机构:
南京大学化学化工学院
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家科技支撑计划
更多>>
相关领域:
理学
农业科学
一般工业技术
轻工技术与工程
更多>>
合作作者
赵健伟
南京大学化学化工学院生命分析化...
张晋江
南京大学化学化工学院生命分析化...
赵建伟
南京大学化学化工学院
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
期刊文章
2篇
会议论文
2篇
专利
1篇
学位论文
领域
2篇
理学
1篇
电子电信
1篇
电气工程
1篇
轻工技术与工...
1篇
农业科学
1篇
一般工业技术
主题
2篇
电容
2篇
电子输运
2篇
蚀刻
2篇
蚀刻液
2篇
输运
2篇
无机盐
2篇
磷酸钾
2篇
精度控制
2篇
分子
2篇
高精细
1篇
电沉积
1篇
电荷
1篇
电荷分布
1篇
电极
1篇
电极对
1篇
电子传递
1篇
氧化镍
1篇
石墨
1篇
碳纳米管
1篇
能源材料
机构
7篇
南京大学
作者
7篇
贺园园
5篇
赵健伟
2篇
张晋江
1篇
赵建伟
传媒
1篇
电化学
1篇
物理化学学报
1篇
第十二届全国...
年份
4篇
2014
1篇
2013
1篇
2012
1篇
2011
共
7
条 记 录,以下是 1-7
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液
本发明公开了一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液,它由下列物质制成:氯化钾、亚硝酸钾、磷酸钾、配位剂、添加剂和水。该无机盐蚀刻液各组分浓度精确,通过电化学蚀刻法可将印制电路板铜箔的精度控制在10μm以下,蚀刻精度高...
赵健伟
贺园园
文献传递
大共轭碳体系的电子输运及其在分子器件中的应用
以石墨烯和碳纳米管为典型代表的大共轭碳材料因其独特的几何构型和电子结构,在从微观的分子器件到宏观的能源材料都有着十分广阔的应用前景。大共轭碳体系的电子输运包括碳体系间的电子输运、碳体系内的电子输运以及碳体系与功能材料的界...
贺园园
关键词:
能源材料
电子输运
分子器件
卟啉铁(Ⅱ)/碳纳米管电极对CO传感的电子输运研究
CO 是大气中的一种有害物质,它可能毒害动物神经系统,因此人们正迫切需要高性能的CO传感器.基于此我们选择1,5-取代卟啉铁(Ⅱ) (D-PP-Fe) 为敏感元件固定在单壁碳纳米管 (SWCNT) 电极上,以CO 为检测...
贺园园
张晋江
赵健伟
关键词:
卟啉
碳纳米管
电子输运
石墨诱导可控电沉积Ni(OH)2纳米离子及超电容特性研究
贺园园
赵建伟
一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液
本发明公开了一种用于电化学蚀刻高精细线路的无机盐蚀刻液,它由下列物质制成:氯化钾、亚硝酸钾、磷酸钾、配位剂、添加剂和水。该无机盐蚀刻液各组分浓度精确,通过电化学蚀刻法可将印制电路板铜箔的精度控制在10μm以下,蚀刻精度高...
赵健伟
贺园园
结构转变方式对光致变色分子开关输运性能影响的从头计算研究(英文)
被引量:1
2014年
采用密度泛函理论方法系统地研究了由不同结构转变方式引发的一系列光致变色分子在用于分子开关时的电子输运性质.对各种分子结构转变前后的最高占据轨道(HOMO)与最低空轨道(LUMO)的能级间隙(HLG)、前线轨道的空间分布、电子透射谱和投影电子态密度(PDOS)谱进行了计算和讨论.结果表明,相似的结构转变方式通常造成分子具有相似的电流开关性质,这与分子的共轭程度又有一定的关系.比较各种分子的电流开关比后发现偶氮苯结构单元具有最大的电流开关比.
贺园园
赵健伟
关键词:
光致变色
电子传递
分子轨道
石墨烯氧化程度对Ni(OH)_2赝电容性能的影响(英文)
2014年
基于密度泛函理论(DFT)设计了一系列不同氧化程度的还原氧化石墨烯片(rGNOs)并研究了其表面的氧化缺陷与吸附的氢氧化镍(Ni(OH)2)之间的相互作用.结果发现,rGNOs表面的含氧基团与Ni(OH)2之间的吸附能与含氧基团的氧化程度相关.在吸附Ni(OH)2后,rGNOs的原子间距和电荷分布的变化也都受rGNOs表面的含氧缺陷的氧化程度影响.理论计算的结果与实验观察的结果一致并能给出合理的解释.我们用简单的恒电位电化学沉积法有效地在rGNOs表面制备了粒径只有5 nm的Ni(OH)2纳米粒子.在Ni(OH)2/rGNOs制备过程中,氧化石墨烯的电化学还原是关键步骤.Ni(OH)2上吸附的Ni(OH)2因具有更高的吸附能而使其与在镍膜表面直接吸附的Ni(OH)2(在5 mV·s-1下比电容为656 F·g-1)相比具有更高的比电容值(在5 mV·s-1下为1591 F·g-1).rGNOs在吸附Ni(OH)2后构型和电荷分布的变化导致Ni(OH)2具有更低的等效串联电阻和更佳的频率响应.Ni(OH)2/rGNOs优异的赝电容特性表明其有潜力成为新型赝电容器材料.
贺园园
张晋江
赵健伟
关键词:
氢氧化镍
电荷分布
吸附能
赝电容
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张