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谢俊叶

作品数:6 被引量:7H指数:2
供职机构:内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇冶金
  • 2篇光学
  • 1篇导电类型
  • 1篇电池
  • 1篇电阻率
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅片
  • 1篇少子寿命
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气敏
  • 1篇气敏特性
  • 1篇相结构
  • 1篇碱腐蚀
  • 1篇减反射膜
  • 1篇光学特性
  • 1篇光学系统
  • 1篇硅片
  • 1篇硅太阳电池
  • 1篇反射率

机构

  • 6篇内蒙古大学

作者

  • 6篇谢俊叶
  • 5篇李健
  • 1篇汪良
  • 1篇徐志虎
  • 1篇李云
  • 1篇王延来

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
单源真空共蒸发制备CuInS2光伏薄膜
单源真空共蒸发制备CuInS2薄膜,氮气保护对薄膜进行适当的热处理。研究不同Cu、In、S元素配比和热处理条件对薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜、光电子能谱仪、手动轮廓仪、双光束紫外-...
谢俊叶
文献传递
单源共蒸发制备CuInS2薄膜XRD分析
单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征,研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、导电类型的影响。XRD分析给出:最有效的S的原子配比为X=1.2...
谢俊叶李健王延来
关键词:相结构导电类型
文献传递
磷吸杂对冶金多晶硅片的少子寿命的影响
究采用液态三氯氧磷源扩散方法对物理冶金法提纯多晶片(6N)进行恒温磷吸杂.研究温度、时间和通磷源量等参数对吸杂效果的影响,摸索可用于生产最有效的工艺条件.用少子寿命测试仪和四探针测试仪测试硅裸片的少子寿命和电阻率. 实验...
徐志虎谢俊叶马承宏李健
关键词:多晶硅片少子寿命电阻率
稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性被引量:5
2010年
用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。
谢俊叶李健汪良
关键词:SNO2薄膜LA掺杂气敏特性
CuInS_2薄膜的制备及光学特性被引量:2
2011年
真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.1∶1.2。用x(Cu)∶x(In)∶x(S)=1∶0.1∶1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1∶0.9∶1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV。
谢俊叶李健王延来
关键词:光学特性
晶硅太阳电池表面光学系统的研制
理法、化学法提纯的多晶硅进行酸和碱性腐蚀制绒,掌握冶金硅电池表面酸性制绒的最优工艺.PECVD 沉积双层SiNx 减反射膜,组成有效的电池表面光学系统.扫描电子显微镜、紫外可见分光光度计和椭偏仪测试各种绒面的表面形貌、反...
李云谢俊叶马承宏李健
关键词:碱腐蚀减反射膜反射率
共1页<1>
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