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许娜

作品数:5 被引量:8H指数:2
供职机构:北京交通大学理学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域:理学经济管理更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇经济管理

主题

  • 2篇时间序列
  • 1篇单分子
  • 1篇单分子层
  • 1篇动力系统
  • 1篇有机薄膜晶体...
  • 1篇栅极
  • 1篇涨落
  • 1篇侦测
  • 1篇特征提取
  • 1篇普尔
  • 1篇气温
  • 1篇气温变化
  • 1篇迁移率
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装单分子...
  • 1篇力系
  • 1篇金融
  • 1篇金融时间
  • 1篇金融时间序列
  • 1篇晶体

机构

  • 5篇北京交通大学
  • 1篇京东方科技集...
  • 1篇天祥集团

作者

  • 5篇许娜
  • 3篇袁广才
  • 2篇张福俊
  • 2篇徐征
  • 2篇徐叙瑢
  • 2篇赵谡玲
  • 2篇胡广生
  • 2篇商朋见
  • 2篇孙钦军
  • 1篇王永生
  • 1篇于建玲
  • 1篇田雪雁
  • 1篇关腾

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇数学的实践与...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇北京交通大学...

年份

  • 3篇2009
  • 2篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
金融时间序列的多重分形分类被引量:2
2008年
金融时间序列中的多重分形性质经常与标度不规则性和自相似性相联系,经常用多重分形谱方法对金融时间序列进行分类.提出了谱的宽度和峰值的概念,用来区分不同样本的分布特征,用描述统计的方法来得到内在多重分形性的统计描述特征.研究中所用68个证券市场的日交易数据来自纽约股票交易所20 a的交易数据.结果表明,多重分形特征适用于对金融时间序列进行分类.
关腾许娜
关键词:特征提取金融时间序列分形非线性动力系统
气温变化时间序列的复杂性分析被引量:3
2008年
给出了离散时间序列多重分形除趋势涨落分析方法和霍尔德指数的计算方法,并用它们研究了气温时间序列.通过分析气温时间序列,发现气温时间序列具有多重分形性的复杂特征.最后,说明气温时间序列的变化对其霍尔德指数的影响及其重要意义.
许娜商朋见胡广生
关键词:气温
侦测股市时间序列相关性的三种方法
2009年
运用方差方法.重标极差方法(R/S)和消除趋势波动分析方法(DFA)对美国股市标准普尔500指数的收盘价进行分析.结果表明:此股票市场指数具有状态持续性特征及自相似特征.同时兼具混沌等非线性特征.通过这三种方法对同一股市进行分析更能全方位的诠释相关性在股票市场理论应用的必要性及可行性,并且对股票市场理论建模.预测和管控策略的制定及实施具有重要意义.
许娜商朋见于建玲胡广生袁广才
关键词:DFA标准普尔
对硅片上自组装生长的Pentacene薄膜生长机制及其结晶相态的研究
2009年
采用热蒸发的方法在硅片衬底上自组装生长的Pentacene薄膜,薄膜在80℃温度下经2h恒温真空热处理,通过原子力显微镜(AFM)对Pentacene薄膜表面形貌及其生长机制进行研究。结果得到,在硅片上生长的Pentacene薄膜是以台阶岛状结构生长,其岛状直径约为100nm。且Pentacene分子以垂直于衬底的方向生长,台阶岛状结构中每个台阶的平均高度约为1.54nm.s-1,与Pentacene分子的沿长轴方向的长度相近。从Pentacene薄膜的XRD图谱中可以看出,薄膜在形成的过程中会因条件的不同而形成不同的结晶相,分别为薄膜相和三斜体相,且薄膜的结晶相将随着薄膜厚度的增加向三斜体相转变,其临界厚度为80和150nm,当薄膜大于150nm时,薄膜的三斜体相占主导地位,而当Pentacene薄膜的厚度小于80nm时,Pentacene薄膜呈薄膜相存在。
袁广才徐征赵谡玲张福俊许娜田雪雁孙钦军徐叙瑢王永生
低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究被引量:3
2009年
制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO2作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane(OTS),phenyltrimethoxysilane(PhTMS),来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|VGS|<0.1 V时,载流子在如此小的栅极电压调制下已经不能过多在半导体有源层与栅极绝缘层之间的界面处积聚,使OTFTs器件的输出电流保持相对的平衡.但是,器件的调制栅压在-0.001V时,器件仍然有好的输出特性,当VDS为-20 V时,器件的场效应迁移率为3.22×10-3cm2/Vs,开关电流比为1.43×102,阈值电压为0.66 V.
袁广才徐征赵谡玲张福俊许娜孙钦军徐叙瑢
关键词:有机薄膜晶体管自组装单分子层场效应迁移率
共1页<1>
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