袁明文
- 作品数：27 被引量：76H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：超高速专用集成电路重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
- Ka波段高电子迁移率晶体管的研制
- 1993年
- 介绍了35GHz赝配高电子迁移率晶体管的设计、制造与性能。在测试频率为35GHz时,该器件的最小噪声系数为2.46dB,相关增益为6.95dB。这是国内首次设计定型的8mm三端固态有源器件,其性能达到了1990年12月Alpha公司公布的AF040N3-00 HEMT的水平。
- 王淑君曹余录黄常胜袁明文
- 关键词：KA波段晶体管迁移率
- 太赫兹波的几个基本问题被引量：4
- 2009年
- 介绍了用于加工太赫兹波元件的微机械加工技术(铣削、放电加工、电铸、湿法腐蚀Si、干法腐蚀Si、厚光刻胶:SU-8和LIGA)及其最新结果。重点描述了应用于太赫兹波的器件和集成电路,如将可用于太赫兹波的各种新颖二极管、半导体纳米器件、新的高电子迁移率晶体管、毫米波集成电路、量子器件、红外器件、量子级联激光器(单极级间跃迁激光器)。基于带间跃迁量子机理的半导体器件(譬如量子级联激光器)的频率极限高于与半导体能带隙相关器件的频率,其大多数体半导体的频率可以达到10THz以上。但是,基于经典的电子扩散传输机理的二极管、三极管的高频极限则受限于渡越时间和寄生参数RC时间常数。
- 袁明文
- 关键词：太赫兹波高电子迁移率晶体管量子器件量子级联激光器
- 新颖半导体二硫化钼被引量：8
- 2013年
- 描述了一种新颖的、单层厚度0.65 nm并具有直接带隙约为1.8 eV的半导体材料———二硫化钼(MoS2)的研究现状。过渡金属二硫化物半导体MoS2具有电气、光学和催化剂性质以及重要的干润滑性能,具有薄而透明性质的单层MoS2半导体还将辅助石墨烯的应用,如:光电子学和能量储存。主要介绍了材料的半导体性质、半导体器件的实验样品———金属半导体场效应晶体管及其器件结构、特性表征。最后,还指出相关材料和器件研究所面临的挑战,例如:如何获得低成本制备批量的材料、材料掺杂、原理分析以及工艺途径等。
- 袁明文
- 关键词：二硫化钼半导体电子器件
- 氮化镓微波电子学的进展被引量：17
- 1999年
- 简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长、微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。
- 袁明文潘静
- 关键词：宽禁带半导体微波器件氮化镓
- 后CMOS器件的候选者
- 2006年
- 介绍了几种后CMOS器件可能的候选器件:谐振隧道器件、单电子晶体管、碳纳米管晶体管、分子器件和自旋晶体管。
- 袁明文
- 关键词：互补金属氧化物半导体晶体管
- X射线光刻现状
- 1991年
- 本文介绍x射线光刻的x射线源、光刻机、掩模和抗蚀剂的现状。
- 袁明文
- 关键词：半导体器件X射线光刻掩模
- 射频微电子机械系统的发展与展望被引量：4
- 2001年
- 介绍了射频微电子机械系统 ( RF MEMS)的最新进展、研究内容及应用前景。该系统装置包括开关、继电器、电容器、电感器、滤波器及微波和毫米波元件。
- 袁明文
- 关键词：射频微电子机械系统电子元件
- 全自动反应离子腐蚀3英寸GaAs片实验研究
- 1996年
- 介绍了全自动反应离子腐蚀３英寸ＧａＡｓ片的实验研究工作。实验获得良好结果，均匀性约５％，２０分钟腐蚀深度为２０μｍ。
- 袁明文
- 关键词：砷化镓
- 三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
- 2005年
- 对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
- 吕长志冯士维王东凤张小玲谢雪松何焱张浩徐立国袁明文李效白曾庆明
- 关键词：ALGAN/GANHFET双异质结
- DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器
- 1995年
- 介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。
- 袁明文王淑君王福兴梁广军
- 关键词：单片集成电路砷化镓跨阻放大器
