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蔡丽娥

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇金属
  • 3篇发光
  • 3篇半导体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇电镀
  • 2篇短路
  • 2篇短路问题
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子分布
  • 2篇能级
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇金属基板
  • 2篇化物
  • 2篇化学法
  • 2篇基板
  • 2篇基态
  • 2篇基态能
  • 2篇基态能级
  • 2篇激光

机构

  • 7篇厦门大学

作者

  • 7篇蔡丽娥
  • 6篇张保平
  • 5篇张江勇
  • 3篇余金中
  • 3篇王启明
  • 2篇江方
  • 1篇陈明
  • 1篇应磊莹
  • 1篇刘宝林

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2009
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
自分裂GaN基外延薄膜转移方法
自分裂GaN基外延薄膜转移方法，涉及氮化镓基半导体器件。选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和GaN基薄膜外延层；在GaN基薄膜上形成图形化金属层；将样品键合到支撑基板上；采用紫外波段激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，...
张保平陈明蔡丽娥张江勇应磊莹
文献传递
GaN基谐振腔结构发光器件研究
GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学特性，其合金材料的禁带宽度在0.7-6.2eV之间连续可调，对应的光波长覆盖红外-可见-紫外光范围且任一组分的合金均为直接带隙，已被广泛应用于制作高效率半导体发光器件。尤其是蓝...
蔡丽娥
关键词：氮化镓面发射激光器
文献传递
一种氮化物发光器件及其制备方法
一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和...
张江勇张保平王启明蔡丽娥余金中
文献传递
大功率半导体微腔发光二极管
大功率半导体微腔发光二极管，涉及一种发光管。提供一种可提高发光功率的大功率半导体微腔发光二极管。从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。在腔...
张保平蔡丽娥刘宝林余金中王启明
文献传递
GaN基外延薄膜自分裂转移方法
GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样...
张保平蔡丽娥张江勇江方
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一种氮化物发光器件及其制备方法
一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n－型电子注入层、p－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n－型电子注入层和...
张江勇张保平王启明蔡丽娥余金中
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GaN基外延薄膜自分裂转移方法
GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样...
张保平蔡丽娥张江勇江方
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