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热光伏系统数值模拟及其光谱控制方法研究: 热光伏(TPV)系统是目前最先进的分布式能源解决方案之一，它利用光伏(PV)电池将人造热源的热辐射能转换为电能输出，故其基本原理与PV系统完全相同，即利用半导体PN结的光电转换特性。由于人造热源辐射距离小，TPV系统拥有...; 茆磊; 关键词：数值模拟; 文献传递

太阳能辅助地表水源热泵系统的性能模拟: 基于建筑物的热负荷、太阳能集热器、热泵循环和土壤-水池的传热分析,建立了太阳能辅助地表水源热泵(SA-SWHP)模型,模拟分析了设计参数对系统性能的影响。结果表明,土壤类型、水池容积和集热器面积对系统性能有显著的影响,而...; 张海峰茆磊叶宏葛新石; 关键词：地表水源热泵太阳能; 文献传递

一维Si/SiO_2光子晶体应用于热光伏的新进展被引量：5: 2009年; 针对一维(1D)Si/SiO_2光子晶体滤波器在GaSb热光伏电池特征波长处存在较大反射峰的问题,根据等效折射率理论,将其基本结构由(L/2HL/2)~5改进为[1.10(L/2HL/2)](L/2HL/2)~3[1.10(L/2HL/2)]。结果表明:改进的滤波器在特征波长处的透过率有较大提高,且抑制了长波光子的透过。辐射器为1250℃的黑体时,采用改进滤波器的TPV系统的光谱效率为33.3%,输出电功率密度为1.06W·cm^(-2),相对于采用原滤波器的TPV系统增长幅度均超过了10%,电池效率也有所提高。; 茆磊叶宏; 关键词：一维光子晶体

TPV系统热辐射发电模块数值分析被引量：5: 2008年; 建立TPV系统热辐射发电模块的数理模型,通过数值模拟获得SiC辐射器分别配合GaSb和Si电池所构成的TPV系统的输出伏安特性曲线;以GaSb电池为例,分别分析SiC辐射器温度和电池温度对系统性能的影响,得出如下结论:辐射器温度升高,系统输出电能密度迅速增大,电池效率稳步提高,辐射器温度从1 400 K升至1 900 K,系统输出电能密度从0.67 W.cm-2增至5.43 W.cm-2,电池效率从16.3%上升到24.8%;电池温度升高导致系统性能下降,电池温度每升高10 K,系统输出电能密度减少约0.15 W.cm-2,电池效率也大幅下降.最后讨论与GaSb匹配的一种选择性辐射器的辐射能量分布情况,与SiC辐射器相比,选择性辐射器可以显著减少辐射能量中的不可用部分,从而有效提高系统的性能与稳定性.; 茆磊叶宏程倩; 关键词：TPV 电池效率

一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器: 本发明公开了一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1＋Δ1)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ1/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390...; 茆磊叶宏; 文献传递

热光伏系统中透明导电氧化物滤波器的优化分析被引量：2: 2008年; 建立了透明导电氧化物（TCOs）滤波器的理论模型，分析了载流子浓度和迁移率对其光学性能的影响。计算了TCOs滤波器应用于以GaSb电池为转换器的热光伏（TPV）系统的最佳载流子浓度和薄膜厚度，最后讨论了石英玻璃衬底厚度的影响。得出以下结论：辐射器温度为1400～1600K时，匹配Al2O3／Er3Al5O12熔融陶瓷选择性辐射器的TCOs滤波器的最优载流子浓度、薄膜厚度区间分别为（4．3～4．4）×10^20 cm^-3、389～399nm，而匹配SiC灰体辐射器的则为（4．4～4．6）×10^20 cm^-3、382～383nm；石英玻璃衬底的厚度对TCOs滤波器性能的影响很小，可以忽略。辐射器温度为1500K时，Al2O3／Er3Al5O12选择性辐射器／TCOS滤波器／GaSh电池的TPV系统输出电功率密度为0．38w／cm^2，光谱效率和TPV效率分别为56．6％和16．7％．; 茆磊叶宏; 关键词：半导体技术透明导电氧化物滤波器

一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器: 本发明公开了一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1+Δ1)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ1/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390...; 茆磊叶宏; 文献传递

采用辐射热阻网络法对热光伏系统热分析被引量：1: 2010年; 采用辐射热阻网络方法建立了热光伏(TPV)系统的辐射换热模型,并指出不考虑石英玻璃管对辐射光子可能的波长转换作用会导致计算所得的石英玻璃管的光谱发射功率密度与普朗克定律相违背。采用添加单色波热源的方式对辐射换热模型进行了修正,得到了系统的辐射热流密度、光谱效率和石英玻璃管的等效辐射温度等一些重要参数,与参考文献中结果吻合较好。; 茆磊叶宏

采用TCOs滤波器的硅电池热光伏系统的性能研究被引量：5: 2009年; 建立了以硅电池为转换器的热光伏(TPV)系统的能量流动模型和透明导电氧化物(TCOs)滤波器的理论模型;分析了载流子浓度和薄膜厚度等参数对光谱效率的影响,并得到对应于不同辐射器温度下的最佳载流子浓度和薄膜厚度;最后讨论了采用TCOs滤波器对TPV系统性能的影响得出以下结论:以SiC为灰体辐射器,适用于1600～1800K辐射器温度的TCOs滤波器的最优载流子浓度区间为(1.23～1.29)×10^(21)cm^(-3),薄膜厚度区间为366～340nm。辐射器温度为1800K时,采用了TCOs滤波器的TPV系统的输出电功率密度为0.41 W/cm^2,光谱效率和TPV效率分别为37.1%和7.9%;相较于未采用TCOs滤波器的TPV系统,输出电功率密度有一定程度减小,而光谱效率和TPV效率却大幅提升。; 茆磊叶宏; 关键词：透明导电氧化物载流子浓度薄膜厚度

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茆磊