- 发光多孔硅材料的制备方法
- 一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中，电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部，反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中，阻止反应的进一步进行，导致直流腐...
- 侯晓远范洪雷柳毅熊祖洪丁训民
- 文献传递
- 用脉冲腐蚀制备发光多孔硅被引量：17
- 1995年
- 采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．
- 范洪雷侯晓远李喆深张甫龙俞鸣人王迅
- 关键词：发光多孔硅多孔硅
- 低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性被引量：14
- 1996年
- 用低温湿氧氧化方法对多孔硅进行后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品,顺磁共振谱表明这种样品表面的悬挂键密度较小,通过对样品红外光谱的测试和分析,指出SiH(O_3),SiH(SiO_2),SiH_2(O_2)结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因.
- 陈华杰张甫龙范洪雷阵溪滢黄大鸣俞鸣人侯晓远李谷波
- 关键词：多孔硅
- 多孔硅的微结构与发光特性研究被引量：15
- 1997年
- 利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Ｓｉ颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的ＰＬ谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．
- 刘小兵孙洁林袁帅廖良生廖良生缪熙月何钧徐磊李民乾范洪雷
- 关键词：多孔硅微结构发光特性AFM
- 获得多孔硅蓝绿光发射的新方法被引量：7
- 1996年
- 对多孔硅进行“胺液浸泡＋快速热氧化”处理，光致发光谱显示，经处理样品的发光峰值波长短到５００ｎｍ，而且在干燥空气中存放１６０ｄ后，发光强度变化很小．红外吸收谱表明，处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧，胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹．电子自旋共振谱表明，这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度．这些结果揭示，量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用．这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行，成功率可达７０％．
- 李谷波张甫龙范洪雷陈华杰俞鸣人侯晓远
- 关键词：蓝光绿光
- 发光多孔硅的表面氮钝化被引量：20
- 1996年
- 报道对多孔硅在NH_3气中进行快速热处理的结果。红外吸收谱表明,经处理样品的表面由Si(NH)_2和Si_3N_4所覆盖,电子自旋共振谱指出,经处理的样品有相当低的悬挂键密度,光荧光谱表明,经适当条件处理的样品的发光强度与未作处理样品相比仅略有降低,而且在大气中存放三个月基本不变,这些结果表明,氮化物可以在多孔硅表面形成优良的钝化膜,这对多孔硅的实际应用及理论研究都有一定意义。
- 李谷波张甫龙陈华杰范洪雷俞鸣人侯晓远
- 关键词：发光多孔硅
- 获得多孔硅蓝绿光发射的新方法被引量：5
- 2000年
- 对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。
- 李谷波张甫龙范洪雷陈华杰俞鸣人侯晓远
- 关键词：多孔硅光发射蓝光发射
