胡雨生
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 电子辐照N型LPE-GaAs层中复合中心能级的研究被引量：2
- 1990年
- 本文用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法和某些常规测试,较系统地研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型LPE-GaAs层逐次引入的缺陷。研究了400～550K温区等时退火行为。讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后,缺陷浓度N_T的变化和少子扩散长度L_p随N_T的变化情况。首次用理论和实验手段论证了由电子辐照引入的所有电子缺陷能级中,E_3为主要的复合中心能级。同时通过对Shockley-Read-Hall公式的简化提出了一个在诸多缺陷能级中判别出其中主要复合中心能级的方法,实验结果也证实了这种判别方法是行之有效的。
- 胡雨生汪乐陈正秀
- 关键词：GAAS电子辐照能级
- N型LPE和VPE-GaAs电子辐照缺陷能级的研究
- 1992年
- 用深能级瞬态谱(DLTS)法,结合表面光伏(SPV)法,研究了1MeV能量和不同剂量的电子辐照下对N型液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)GaAs层逐次引入的缺陷和400—500K温区等时退火行为.讨论了随辐照剂量逐次增大及等时退火后缺陷浓度N_T的变化,以及根据L^2/D对N_T^(-1)作图来判别电照引入的“E”缺陷能级中对少子寿命起主要控制作用的复合中心能级.
- 胡雨生
- 关键词：电子辐照砷化镓LPE
- MBE-GaAs/Si材料应变层的调制光谱研究
- 1993年
- 本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延层应变随退火温度增大而增大,GaAs能隙则随之下降,考虑到应力随温度变化因素后这些不同的测试方法所得的结论与(PR)谱结果基本一致。因此用室温光反射调制光谱对于检测室温下GaAs/Si材料的质量,剩余应力等是方便而有力的方法。
- 胡雨生胡福义汪乐李爱珍范伟栋
- 关键词：GAAS/SI材料分子束外延
- LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究
- 1989年
- 本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已测得的典型结果为:N_D=5×10^(15)cm^(-3),L_P=2μm;N_D=1.2×10^(18)cm^(-3),L_P=0.85μm。此外,还给出了不同浓度(N_D)的 n-InGaAs 中少子扩散长度的变化情况。发现当 N_D 增大时,L_P 随之下降,并且 L_P 下降幅度在高浓度范围内明显加剧。研究结果表明,对于三元合金 n-In_(0.53)Ga_(0.47)As 材料,只要满足一定测试条件,并对样品表面进行必要处理,用 SPV 法测量扩散长度是可行的。
- 胡雨生周柄林杨易陈强
- 关键词：INGAAS少子扩散长度外延层
- 深能级对AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管性能的影响被引量：2
- 1999年
- 用深能级瞬态光谱和光致发光（ＰＬ）方法研究了ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）发射区ＡｌＧａＩｎＰ中的深能级．得到了两个深能级，分别为Ｅｃ－Ｅｔ１＝０４２ｅＶ和Ｅｃ－Ｅｔ２＝０５９ｅＶ，其复合截面为σｎ１＝６２７×１０－１７ｃｍ２和σｎ２＝６４９×１０－２０ｃｍ２．这两个深能级分别与硅杂质和氧杂质相联系．从不同激发功率与ＰＬ峰强度的关系，说明在ＡｌＧａＩｎＰ中存在深能级非复合中心．ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ发射区ＡｌＧａＩｎＰ中深能级的存在使器件的电流增益减小．
- 张兴宏胡雨生吴杰程知群夏冠群徐元森陈张海桂永胜褚君浩
- 关键词：砷化镓铝镓铟磷深能级异质结晶体管
- MBE—GaAs/Si材料晶体质量对少子扩散长度的影响
- 1引言MBE—GeAs/Si材料GeAs优越的电学性能,光学性能和Si材料的硬度大,热传导率高,易集成的特性结合于一体,为光电集成电路(OEIC)等新型光电器件提供了可能的材料,也为Si的大规模集成电路和GeAs集成块的...
- 胡雨生胡福义李爱珍诸幼令
- 文献传递
