翟小林
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺更多>>
- Ar环境下脉冲激光烧蚀粒子阻尼系数的空间分布被引量：1
- 2012年
- 在10 Pa的Ar环境气体中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在半径为2.0,2.5,3.0,3.5和4.0 cm的半圆环不同角度处的衬底上制备了一系列含有纳米晶粒的Si晶薄膜。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对其表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明,纳米Si晶粒的平均尺寸和烧蚀粒子的阻尼系数均相对于羽辉轴向呈对称分布,并随着与羽辉轴向夹角的增大而减小;同时,随着衬底半径的增加,晶粒平均尺寸和阻尼系数均逐渐减小。
- 王英龙胡自强邓泽超翟小林褚立志丁学成傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀阻尼系数
- 靶衬间距对传输中溅射粒子密度和速度分布的影响被引量：2
- 2012年
- 采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,研究了脉冲激光烧蚀沉积纳米硅(Si)晶薄膜过程中,靶衬间距对传输中溅射粒子密度和速度分布的影响。研究结果表明,在相同时刻,烧蚀粒子和环境气体的交叠区离开靶面的距离随靶衬间距的增加而增大,并且到达离开表面最大距离的时间随靶衬间距的增大而明显增长。速度分布曲线的峰位和峰值强度均出现了周期性变化的趋势,并且均随着靶衬间距的增大而增长。
- 丁学成傅广生翟小林梁伟华褚立志邓泽超赵亚军王英龙
- 关键词：激光技术蒙特卡罗模拟密度分布
- 脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广被引量：5
- 2011年
- Yoshida等人提出的惯性流体模型只能解释脉冲激光烧蚀制备纳米硅晶粒平均尺寸随环境气压的变化规律.在此模型基础上,考虑到烧蚀粒子的初始速度分布(Maxwell分布),得到了纳米硅晶粒尺寸分布的解析表达式,数值模拟结果与Yoshida等人在不同环境氦气压下制备样品的晶粒尺寸分布的实验统计数据基本相符.还利用修正后的模型对不同环境气体种类(氦、氖、氩)中制备的纳米Si晶粒尺寸分布进行了模拟,模拟结果与实验数据相符.结论可为实现纳米硅晶粒尺寸的均匀可控提供理论依据.
- 傅广生丁学成郭瑞强翟小林褚立志邓泽超梁伟华王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀
- 脉冲激光烧蚀过程中阻尼系数的角度分布
- 2011年
- 采用脉冲激光烧蚀(PLA)技术,在半圆环衬底上制备了含有纳米晶粒的硅(Si)晶薄膜。分析了纳米Si晶粒尺寸和阻尼系数随角度和压强的变化关系。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪(Raman)对其表面形貌和结构进行了表征。结果表明,在压强一定的情况下,纳米Si晶粒的尺寸和阻尼系数均相对于轴向呈对称分布,并随着偏离轴向角度的增加而减小;同时随着压强增大,晶粒尺寸和阻尼系数在各个角度处的值均增大。
- 王英龙翟小林丁学成王世俊梁伟华邓泽超褚立志傅广生
- 关键词：纳米SI晶粒脉冲激光烧蚀阻尼系数
- 混合环境气体配比对纳米硅晶粒角度分布的影响
- 2012年
- 为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅(Si)晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环境气体配比(He/Ar=4∶1、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),在半圆环衬底上成功制备了一系列纳米Si晶薄膜。使用扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射谱(XRD)和拉曼光谱(Raman)对其进行表征分析。结果表明,在五种配比下,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着偏离羽辉轴向夹角的增大而减小;各个角度处,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着混合环境气体平均原子质量的增加而呈现先减小后增大的趋势。从传输动力学角度,对结果进行了定性分析。
- 翟小林王英龙丁学成邓泽超褚立志傅广生
- 关键词：脉冲激光烧蚀
