程基宽
- 作品数：9 被引量：5H指数：2
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配...
- 高积强杨建锋刘光亮程基宽戴培赟李春芳
- 文献传递
- 籽晶处理工艺对物理气相传输法生长SiC单晶的影响被引量：1
- 2010年
- 将块体SiC单晶中切割下的晶片经研磨、抛光和腐蚀不同工艺处理后作为籽晶,用物理气相传输法生长SiC晶体,生长时间为10min。用光学显微镜观察晶片生长前后的形貌,讨论了不同处理工艺籽晶对晶体生长的影响。结果表明,研磨和抛光可以去除晶体切割时产生的凹坑和划痕,但残留的研磨变质层和抛光导致的机械损伤层可诱导晶片在高温晶体生长时产生多晶成核,腐蚀可以去除研磨和抛光时产生的机械损伤层,用腐蚀后的晶片作为籽晶,生长的晶体表面光滑,并且能够很好地复制籽晶的结构。
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 关键词：碳化硅单晶晶体生长籽晶
- 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响被引量：2
- 2005年
- 研究了用改进Lely法制备SiC单晶的过程中坩埚石墨化度对物质传输和晶体生长速度的影响。在不同温度下进行石墨化处理得到了实验所用的坩埚。用XRD方法定量测定了晶体生长前坩埚的石墨化度,并用SEM分析了晶体牛长后坩埚内壁的反应情况。实验结果表明,石墨坩埚在SiC晶体生长过程中是一个非常重要的碳源提供者；当坩埚的石墨化程度较低时,晶体的生长速度快,生长速度由生长温度所控制；随着坩埚石墨化程度的提高,晶体生长速度减慢并由坩埚石墨化度所控制：当石墨化度进一步提高的时候,籽晶被碳化,晶体不能正常生长。
- 刘军林高积强程基宽杨建峰乔冠军
- 关键词：石墨化度单晶生长SIC
- 籽晶处理工艺对PVT法生长SiC单晶的影响
- 戴培赟史永贵杨建锋刘光亮程基宽
- 感应烧结炉的改造与SiC晶体的制备
- 程基宽
- 附加碳源对SiC单晶生长过程的影响(英文)被引量：2
- 2007年
- 研究了用物理气相传输(PVT)法制备SiC单晶的过程中附加碳源对晶体生长速度及缺陷的影响,并将活性炭与SiC粉末一起加入到石墨坩埚中进行晶体生长。用XRD分别测定了晶体生长前后坩埚与活性炭的石墨化度,并用光学显微镜观察了晶体中的缺陷。结果表明,随晶体生长过程的进行石墨坩埚的活性降低,直接导致晶体生长速度减慢,并使籽晶表面Si液相形成的可能性增大,与Si液相相关的缺陷增多。活性炭的加入给生长过程提供了充足的碳源,提高了晶体的生长速度,并抑制了籽晶表面Si液相的形成,从而降低了与Si液相相关缺陷出现的几率。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：PVTSIC晶体
- 6H-SiC单晶中的蜷线
- 2007年
- 用PVT法制备了6H-SiC。用光学显微镜观察了晶体生长面的原生形貌。讨论了6H-SiC中蜷线的形状及其形成机理。蜷线起源于螺旋位错,它们的形状则决定于这些位错的符号与相对位置。在(0001)Si面上,蜷线表现为圆形螺旋,而在(0001)C面上则表现为六角形螺旋。通常情况下,蜷线的极点没有任何包裹物。然而在某些情况下,蜷线的极点会出现包裹物,如夹杂、微管、孔洞或者负晶等。当(0001)Si面作为生长面时,6H-SiC单晶的生长机制符合螺旋位错模型(BCF理论模型)。
- 程基宽高积强刘军林蒋仙杨建峰乔冠军
- 关键词：碳化硅位错
- 一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法
- 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配...
- 高积强杨建锋刘光亮程基宽戴培赟李春芳
- 文献传递
- 大尺寸SiC单晶生长关键技术研究
- 程基宽
- 关键词：碳化硅晶体生长多晶生长速率
