- CdSe晶片的红外透过率研究
- 将采用多级提纯、垂直无籽晶气相提拉法生长的CdSe晶锭切割,获得沿径向位置分布的0.8mm厚的系列晶片,利用日本SHIMAZU公司的Irpresting-21傅立叶变换红外光谱仪对该晶片组的红外透过率进行了测试。测试结果...
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE
- 文献传递
- Cu单晶的生长与温场研究被引量：2
- 2009年
- Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果,设计并制作了硅钼棒加热单晶生长炉,获得了适合Cu单晶体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺寸为15 mm×35 mm的Cu单晶体。对生长的晶体进行切割、抛光腐蚀后,采用金相显微镜和X射线衍射分析,结果表明:研究设计的温场适合Cu单晶体的生长,生长出的晶体结晶性好、结构完整。
- 肖怀安朱世富赵北君唐世红王立苗周义博易希昱
- 关键词：铜单晶差热分析晶体生长性能表征
- 结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置
- 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安...
- 朱世富赵北君何知宇陈宝军唐世红王立苗
- 文献传递
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究
- 以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长 CdSe 晶体时的生长速率．结果表明用提拉法气相生长 CdSe 晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化．由此,在选定温场的前提下...
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- 文献传递
- 结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置
- 一种结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成，动板放置在座板所设置的凹槽中，其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置，包括上端封闭、下端开口的整体式炉体，安装在炉体上的加热器，安装安...
- 朱世富赵北君何知宇陈宝军唐世红王立苗
- 文献传递
- 用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器
- 一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器，由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成；座板上设置有一底部为平面的凹槽，凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I，凹槽的环面上开设有调温孔I；动板的形状和径向尺...
- 赵北君朱世富何知宇陈宝军唐世红王立苗
- 文献传递
- 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量：1
- 2007年
- 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
- 何知宇赵北君朱世富任锐温才叶林森钟雨航王立苗杨慧光
- 关键词：CDSE晶体生长
- CdSe晶片的红外透过率研究被引量：9
- 2007年
- 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。
- 何知宇赵北君朱世富叶林森钟雨航王立苗杨慧光曾体贤
- 关键词：探测器材料红外光谱
- 垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究被引量：3
- 2009年
- Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整。
- 王立苗赵北君朱世富唐世红何知宇肖怀安
- 关键词：铜单晶生长
