王祖松
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京信息工程大学物理与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目南京医科大学科技发展基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 10～30keV二次电子发射系数的表达式被引量：5
- 2013年
- 根据二次电子发射的主要物理过程和特性，推导出最大二次电子发射系数（δm）的表达式。还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数（δPE）的表达式。根据δPE、δm和高能二次电子发射系数（δ）之间的关系，推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次（n）和原电子入射能量为变量δ的通式。用ESTAR程序计算出一些材料的10—30keY能量范围内的参数A和n。用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较，结果表明，成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～30kev的艿通式。
- 谢爱根王祖松刘战辉詹煜吴红艳
- 关键词：金属半金属元素半导体
- 驱动电流对制备态钴基非晶丝GMI效应的影响
- 2010年
- 采用熔融抽拉法制备Co68.25Fe4.5Si12.25B15非晶丝材料,研究了不同振幅和频率的交流驱动电流对制备态非晶丝巨磁阻抗(GMI)效应的影响,分析了该组分非晶丝GMI比率较高的原因。结果表明,随着驱动电流振幅和频率的增加,该组分非晶丝的GMI比率均为先增后减;当驱动电流振幅和频率分别为5.5 mA和9.5MHz时,其GMI比率达到620.2%。
- 武继文王祖松张义权
- 关键词：驱动电流
- 0-89°的金属二次电子发射系数的通式被引量：1
- 2015年
- 根据二次电子发射的物理特性和过程,以θ角射入原子序数为Z的金属的每个原电子发射的二次电子数（δPEθZ）、原电子的入射能量（Wp0）、cosθ和参数Y（θ,Z）之间的关系被推导出来了。根究实验结果,得出Wp0为2-10keV的比率βθ、Wp0和cosθ之间的关系式。根据二次电子发射系数δθ和二次电子发射系数δ0之间的关系,Wp0为2-10keV的δθ、δ0、背散射系数η0、背散射系数ηθ、参数Y（θ,Z）、Wp0和cosθ之间的关系式（r）被推导出。根据r、实验结果、ηθ和η0的表达式,得出参数Y（θ,Z）、Z和θ之间的关系式。以δ0、η0、ηθ、cosθ的[1.08-0.59（θ/90）12]（20/Z）0.07407次方、Wp0和cosθ为变量的Wp0为2-10keVδθ的通式被推导出。用该通式计算出来的二次电子发射系数与实验的铝、镍、铅和铍二次电子发射系数分别进行了比较。结果表明：推导的二次电子发射系数的通式可以用来估算Wp0为2-10keV和θ为0-89°的二次电子发射系数。
- 谢爱根陈云云王祖松仲坤
- 关键词：入射角金属
