2024年12月14日
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王琦
作品数:
13
被引量:2
H指数:1
供职机构:
重庆邮电大学
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相关领域:
电子电信
理学
经济管理
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合作作者
张红升
重庆邮电大学
张楠
重庆邮电大学
刘瑆
重庆邮电大学
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机构
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重庆邮电大学
作者
13篇
王琦
9篇
张红升
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刘瑆
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张楠
年份
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2024
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2023
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2022
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2021
1篇
2018
1篇
2011
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基于LoRa技术的DMB终端状态信息接收系统
本发明涉及一种基于LoRa技术的DMB终端状态信息接收系统,属于无线信号技术领域。针对DMB广播系统只能单向完成数据信息的传输,无法反馈运行错误或播报信息错误的问题,提出一种基于LoRa的数字多媒体广播(Digital ...
赵雨诗
陈玉婷
吴俊男
苏弋炜
张红升
王琦
刘挺
刘瑆
一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发...
黄义
王礼祥
秦海峰
许峰
陈伟中
王琦
张红升
文献传递
一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金...
黄义
王礼祥
秦海峰
许峰
陈伟中
王琦
张红升
文献传递
一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发...
黄义
王礼祥
秦海峰
许峰
陈伟中
王琦
张红升
一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管
本发明涉及一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管,属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构,左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金...
黄义
王礼祥
秦海峰
许峰
陈伟中
王琦
张红升
一种氧化镓基混合PIN-肖特基二极管及其制备方法
本发明涉及一种氧化镓基混合PIN‑肖特基二极管及其制备方法,属于半导体器件技术领域。该二极管器件包括:作为该二极管器件衬底的N‑buffer区;形成于N‑buffer区下表面的金属阴极区;形成于N‑buffer上表面的N...
黄义
彭祎凡
王琦
一种GaN基纳米多孔结构Micro-LED器件
本发明涉及GaN基光电器件领域,具体公开了一种GaN基纳米多孔结构Micro‑LED器件,包括n‑GaN层、量子阱InGaN层、p‑GaN层、Si衬底、纳米多孔GaN和偶极子源;所述p‑GaN层、量子阱InGaN层、n‑...
黄义
杨稳
王琦
具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件
本发明涉及一种具有双沟槽的4H‑SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件,属于功率半导体器件技术领域。该器件包括沟槽氧化层、N‑drift区、轻掺杂P‑epi层、重掺杂P+epi层、N型4H‑SiC衬底、P‑base区、N+注入...
黄义
王学成
王礼祥
王琦
陈伟中
严文生
张楠
张红升
一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法
本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法,属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构,包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga<Sub>2<...
黄义
周科宏
王东升
杨稳
王琦
张红升
认知中继系统协作传输方案及性能分析
下一代移动通信系统对频谱利用率和传输效率提出了更高的要求。认知无线电是现代无线通信的一种新模式,认知无线电是一个智能无线通信系统,它可以感知周围的无线电环境,通过对环境的理解主动学习并调整内部无线电参数(如功率、发射频率...
王琦
关键词:
无线通信
协作中继
频谱分析
认知无线电
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